[发明专利]二维FeNb3有效

专利信息
申请号: 202011221136.7 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN112279221B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 于鹏;孔玲玲 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 李思坪
地址: 510000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 二维 fenb base sub
【权利要求书】:

1.一种二维FeNb3Se10纳米片的制备方法,其特征在于,通过DMF辅助超声剥离法将FeNb3Se10块状晶体剥离成FeNb3Se10纳米片;所述二维FeNb3Se10纳米片的制备方法具体包括以下步骤:

S1、采用高温固相法合成FeNb3Se10块状晶体:将Fe、Nb、Se三种元素进行真空封装,进行第一次高温反应,反应后降至室温并进行研磨处理,研磨后再次进行真空封装,进行第二次高温反应,最后得到FeNb3Se10块状晶体,所述第一次高温反应为(500-600)℃下反应36-60h,所述第二次高温反应为(550-650)℃下反应36-60h,并重复不少于三次;

S2、采用DMF辅助超声剥离法剥离FeNb3Se10块状晶体,得到FeNb3Se10纳米片:将FeNb3Se10晶体分散在DMF中,然后进行超声处理,超声后离心收集上清液,上清液再离心收集沉淀,沉淀经洗涤和干燥后得到FeNb3Se10纳米片。

2.根据权利要求1所述的一种二维FeNb3Se10纳米片的制备方法,其特征在于,所述Fe、Nb、Se三种元素的摩尔比为(1-3):(1-3):(8-12)。

3.根据权利要求1所述的一种二维FeNb3Se10纳米片的制备方法,其特征在于,所述FeNb3Se10晶体在DMF中的浓度为(2.5-7.5)mg/mL。

4.根据权利要求1所述的一种二维FeNb3Se10纳米片的制备方法,其特征在于,所述超声处理为持续超声处理4-5h,温度维持在20-25℃。

5.采用权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到的二维FeNb3Se10纳米片。

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