[发明专利]非制冷红外探测器、芯片以及芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202011221554.6 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112499580A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 马占锋;黄立;陈丹;汪超;王春水;高健飞 | 申请（专利权）人： | 武汉鲲鹏微纳光电有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制冷 红外探测器 芯片 以及 制作方法 | ||
1.一种非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，在读出电路上进行MEMS阵列的制作；
S2，待完成后，在所述读出电路非所述MEMS阵列的部位上沉积吸气剂材料；
S3，通过剥离工艺，去掉非制冷红外像元部分的吸气剂，留下非制冷红外非像元部分的吸气剂。
2.如权利要求1所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：在所述S2步骤中，在沉积所述吸气剂材料前，通过涂胶光刻显影使芯片空余部分余留出来，然后在该余留出来的部分上沉积吸气剂材料。
3.如权利要求1所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：在所述S2步骤中，沉积的所述吸气剂包括锆、钴、铼以及钛中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：S4，在进行封装前，激活所述读出电路上的吸气剂。
5.如权利要求1所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：封装的方式采用金属封装、陶瓷封装或晶圆级封装。
6.如权利要求1所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：在所述S3步骤中，还去掉非制冷红外像元部分的光阻。
7.如权利要求1所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：在所述S3步骤中，留下的吸气剂与所述MEMS阵列之间具有间隔。
8.如权利要求7所述的非制冷红外探测器芯片的制作方法，其特征在于：所述间隔的距离大于100μm。
9.一种非制冷红外探测器，包括半导体制冷器，其特征在于：还包括如权利要求1-8任一所述的非制冷红外探测器芯片，所述芯片设于所述半导体制冷器上。
10.一种非制冷红外探测器芯片，其特征在于：包括读出电路以及设于所述读出电路上的MEMS阵列，所述读出电路上还沉积有吸气剂，所述吸气剂环绕所述MEMS阵列设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉鲲鹏微纳光电有限公司，未经武汉鲲鹏微纳光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011221554.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
