[发明专利]封装的制作方法在审
申请号: | 202011221693.9 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN113380715A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 陈明发;史朝文;刘醇鸿;胡人立 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/16 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制作方法 | ||
本公开实施例提供封装及封装的制作方法。所述方法包括对第一器件管芯与第二器件管芯进行结合。第二器件管芯位于第一器件管芯之上。在包括第一器件管芯及第二器件管芯的组合结构中形成结合结构。在结合结构中形成组件。组件包括无源器件或传输线。所述方法还包括形成电耦合到组件的第一端及第二端的第一电连接件及第二电连接件。
技术领域
本公开实施例涉及数种封装及其制作方法。
背景技术
随着将更多的器件管芯封装在同一封装中以达成更多的功能,集成电路封装正变得越来越复杂。举例来说,已开发出在同一封装中包括多个器件管芯(例如,处理器及存储器立方体)的封装结构。封装结构可包括使用不同的技术形成的器件管芯且具有结合到同一器件管芯的不同功能,因此形成系统。此可节约制造成本且优化器件性能。
发明内容
根据本公开一些实施例,一种方法包括:将第一器件管芯与第二器件管芯进行结合,其中所述第二器件管芯位于所述第一器件管芯之上,从而在包括所述第一器件管芯及所述第二器件管芯的组合结构中形成结合结构,且在所述结合结构中形成组件,其中所述组件包括无源器件或传输线;以及形成电耦合到所述组件的第一端及第二端的第一电连接件及第二电连接件。
根据本公开一些实施例,一种方法包括:提供第一器件管芯,其中所述第一器件包括第一结合层,所述第一结合层包括第一绝缘层及多个第一结合焊盘,且通过第一镶嵌工艺将所述多个第一结合焊盘嵌置在所述第一绝缘层中;在所述第一器件管芯上提供第二器件管芯,其中所述第二器件包括第二结合层,所述第二结合层包括第二绝缘层及多个第二结合焊盘,且通过第二镶嵌工艺将所述多个第二结合焊盘嵌置在所述第二绝缘层中;通过对所述第一结合层与所述第二结合层进行混合结合来将所述第一器件管芯与所述第二器件管芯进行结合,从而形成组件,其中所述组件包括无源器件或传输线;以及形成电耦合到所述组件的第一端及第二端的第一电连接件及第二电连接件。
根据本公开一些实施例,一种封装包括:第一器件管芯;第二器件管芯,位于所述第一器件管芯之上且通过所述第一器件管芯与所述第二器件管芯的结合结构结合到所述第一器件管芯;组件,位于所述结合结构中,其中所述组件包括无源器件或传输线;以及第一电连接件及第二电连接件,电耦合到所述组件的第一端子及第二端子。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本公开的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A到图1H是根据本公开一些实施例的在制造封装时的中间阶段的剖视图,所述封装具有通过面对面结合而结合的器件管芯。
图2A、图3A、图4A、图4C及图4F说明根据本公开的替代实施例的图1A及图1H中所说明的结合层的俯视图。
图2B说明根据本公开一些实施例的包括传输线的组件的俯视图。
图3B说明根据本公开一些实施例的包括电容器的组件的俯视图。
图4B、图4D、图4E及图4G说明根据本公开一些实施例的包括电感器的组件的俯视图。
图5是根据本公开的替代实施例的在制造封装时的中间阶段的剖视图,所述封装具有通过面对面结合而结合的器件管芯。
图6是根据本公开的其他一些实施例的在制造封装时的中间阶段的剖视图,所述封装具有通过面对面结合而结合的器件管芯。
图7A到图7B说明根据本公开一些实施例的在制作器件管芯期间的各种处理步骤的剖视图。
图8A到图8H说明根据本公开一些实施例的在制作封装期间的各种处理步骤的剖视图。
图9A到图9E是根据本公开一些实施例的在制造封装时的中间阶段的剖视图,所述封装具有通过面对背结合而结合的器件管芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造