[发明专利]互连层及其制造方法在审
| 申请号： | 202011221811.6 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113053800A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈佳政;张惠政;黄富明;陈科维;陈亮吟;张棠贵;杨育佳;梁威威;崔骥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造互连层的方法，包括：
在衬底上形成第一互连层，其中，形成所述第一互连层包括：
在设置在所述衬底上的电介质层中形成开口；
在所述开口中沉积钌金属衬里；
在所述钌金属衬里上沉积铜金属以填充所述开口；
抛光所述铜金属；
掺杂所述钌金属衬里；以及
抛光经掺杂的钌金属衬里以在所述第一互连层中形成导电结构；以及
在所述第一互连层上形成第二互连层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述钌金属衬里包括：在所述开口外部的所述电介质层的表面上沉积所述钌金属衬里。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述钌金属衬里包括：掺杂所述铜金属的一部分和所述电介质层的一部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，抛光所述经掺杂的钌金属衬里包括：以相似的抛光速率来抛光所述铜金属、所述电介质层和所述经掺杂的钌金属衬里。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述钌金属衬里包括：使用碳C、硼B、磷P、氧O、硅Si、氩Ar、锗Ge、砷As或氙Xe来掺杂所述钌金属衬里。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述钌金属衬里包括：使用包括离子束的掺杂工艺来掺杂所述钌金属衬里，所述离子束的入射角介于0°至80°之间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述钌金属衬里包括：使用包括掺杂剂的掺杂工艺来掺杂所述钌金属衬里，所述掺杂剂的离子能量介于0.3keV至20keV之间。
8.一种制造互连层的方法，包括：
在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成所述第一导电结构包括：
在设置在所述第二导电结构上的电介质层中形成开口；
在所述开口中沉积钌金属以过度填充所述开口；
掺杂所述钌金属；以及
抛光经掺杂的钌金属以形成所述第一导电结构；以及
在所述第一导电结构上形成互连层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，掺杂所述钌金属包括：使用碳C、硼B、磷P、氧O、硅Si、氩Ar、锗Ge、砷As或氙Xe来掺杂所述钌金属的顶部部分和所述电介质层的顶部部分。
10.一种互连层，包括：
电介质层，所述电介质层位于衬底上；
导电结构，所述导电结构位于所述电介质层中，其中，所述导电结构包括：
第一导电材料；和
钌衬里，所述钌衬里围绕所述第一导电材料的侧壁和底表面，其中，所述钌衬里的顶表面和所述第一导电材料的顶表面是共面的；并且
其中，所述电介质层包括掺杂剂浓度等于或大于1×1012原子/cm3的掺杂剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011221811.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应用流量监测的泄露浓度解析系统及方法
- 下一篇：跨链交换的托管方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
