[发明专利]光电转换器件、传感器和电子设备

权利要求书

1.光电转换器件，包括：

第一电极和第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，

其中所述光电转换层包括：

第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料配置成共同限定pn结，以及

不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料，所述第三材料包括吸电子基团。

2.如权利要求1所述的光电转换器件，其中

所述第三材料为包括供电子部分、受电子部分、和π共轭连接部分的有机材料，所述π共轭连接部分连接所述供电子部分与所述受电子部分，以及

所述供电子部分、所述受电子部分、或所述π共轭连接部分的至少一种包括所述吸电子基团。

3.如权利要求2所述的光电转换器件，其中所述吸电子基团包括卤素；氰基；硝基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C1-C30烷基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C1-C30烷氧基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C3-C30环烷基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C6-C30芳基；或者被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C3-C30杂芳基。

4.如权利要求2所述的光电转换器件，其中所述吸电子基团包括氟、氰基、或其组合。

5.如权利要求2所述的光电转换器件，其中

所述供电子部分包括所述吸电子基团，和

所述吸电子基团包括卤素；氰基；硝基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C1-C30烷基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C1-C30烷氧基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C3-C30环烷基；被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C6-C30芳基；或者被卤素、氰基、硝基、或其组合取代的C3-C30杂芳基。

6.如权利要求2所述的光电转换器件，其中所述第三材料由化学式1-1表示：

[化学式1-1]

其中，在化学式1-1中，

X¹为O、S、Se、Te、SO、SO₂、CO、CR'R、NR'、SiR^aR^b、或GeR^cR^d，

EDM3为所述供电子部分，

EAM3为所述受电子部分，

R¹、R²、R'、R、R'、以及R^a、R^b、R^c、和R^d独立地为氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或硝基，并且R¹和R²、R'和R、R^a和R^b、以及R^c和R^d独立地存在或彼此连接以形成环，

X¹、EDM3、R¹、R²、和EAM3独立地存在或其相邻的两个彼此连接以形成环，以及

EDM3、EAM3、R¹、R²、R'、R、R'、R^a、R^b、R^c、或R^d的至少一个包括吸电子基团。