[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202011222618.4 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112420740A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 孙荷静;邱恒达;周航 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请提出了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括:衬底以及位于衬底上的辅助层与有源层,辅助层与有源层同层设置;其中,辅助层由疏水性材料构成,以及有源层远离衬底一侧的第一表面与衬底平行。本申请通过辅助层的设置,以辅助用于形成有源层的材料图案化形成有源层,提高了形成有源层的材料的利用率,降低了显示面板的制造成本。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着人们对显示面板需求量的提升,改善显示面板的制造工艺以及结构,以降低显示面板的制造成本是显示面板的一大重要的发展方向。
现有的显示面板的薄膜晶体管结构中,有源层通常采用半导体材料的物理沉积以及后续的图案化处理获得,设备成本昂贵,且后续的图案化工艺除去多余半导体材料,导致半导体材料利用率难以提高,显示面板的制造成本难以降低。
因此,亟需一种新的显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,用于解决现有的显示面板由于采用物理沉积以及后续图案化处理形成有源层,导致显示面板的制造成本难以降低的问题。
为了解决上述技术问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供了一种显示面板,衬底以及位于所述衬底上的辅助层与有源层,所述辅助层与所述有源层同层设置;
其中,所述辅助层由疏水性材料构成,以及所述有源层远离所述衬底一侧的第一表面与所述衬底平行。
本申请提供的显示面板中,所述辅助层由第一溶液经第一去溶剂化处理形成;
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶剂混合形成。
本申请提供的显示面板中,所述第一溶液经所述第一去溶剂化处理后形成一疏水性材料层,所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层,所述疏水性材料为疏水性全氟树脂材料。
本申请提供的显示面板中,所述有源层由第二溶液经第二去溶剂化处理形成,所述第二溶液包括铟元素、镓元素、及锌元素。
本申请提供的显示面板中,所述第二溶液中铟元素、镓元素、及锌元素的含量比为3.2~4.8:0.8~1.2:0.8~1.2。
本申请提供的显示面板中,所述有源层远离所述衬底一侧的所述第一表面与所述辅助层的第二表面位于同一平面内。
本申请提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述有源层与所述衬底之间的栅极;
所述栅极包括与所述衬底平行的第一区以及位于所述第一区两侧的第二区,所述第二区与所述衬底形成的夹角为80至110度。
本申请提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于栅极以及所述有源层之间的绝缘层,所述绝缘层与所述辅助层一体设置。
本申请提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述辅助层上的凸起,所述凸起远离所述衬底的一侧为弧形;
所述弧形向远离所述衬底的方向凸出。
本申请还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底上经第一预设工艺形成辅助层;
在所述衬底上经第二预设工艺形成有源层;
在所述有源层上经第三预设工艺形成源漏极层;
其中,所述辅助层由疏水性材料构成,以及所述有源层远离所述衬底的一侧的第一表面与所述衬底平行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011222618.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:OLED显示面板
- 下一篇:一种高温合金密排孔柱阵列结构的加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的