[发明专利]累积型MOS沟道二极管结构

权利要求书

1.一种累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述累积型MOS沟道二极管结构包括阴极金属、阳极金属、N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅组，所述N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅设置在阴极金属与阳极金属之间，所述N型衬底一端与阴极金属接触，另一端与N型外延层的一端接触，N型外延层的另一端部分与P区接触，N型源区设置在阳极金属、P区及槽栅组之间并分别与部分阳极金属、部分P区及部分槽栅组接触，部分所述槽栅组及部分P区分别与部分阳极金属接触。

2.如权利要求1所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述槽栅组包括槽栅及槽栅氧化层，所述槽栅氧化层呈半包结构，所述槽栅氧化层的部分外表面与部分N型外延层接触，所述槽栅氧化层的内表面与槽栅接触，所述槽栅氧化层还分别与阳极金属及N型源区接触，所述N型源区通过与槽栅氧化层接触实现与槽栅组接触。

3.如权利要求1所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述累积型MOS沟道二极管结构还包括N型沟道，所述N型沟道设置在N型外延层、N型源区、P区及槽栅组之间并分别与N型外延层、N型源区、P区及槽栅组接触。

4.如权利要求1所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述累积型MOS沟道二极管结构为宽禁带材料二极管。

5.如权利要求1所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述N型外延层的厚度为1-12μm，其掺杂浓度为1×10¹⁵/cm³～1×10¹⁷/cm³；所述N型源区的深度为0.1-1μm，其掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³～1×10²¹/cm³。

6.如权利要求3所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述N型沟道的掺杂浓度为1×10¹⁵/cm³～1×10¹⁷/cm³，且所述N型沟道区的掺杂浓度不低于N型外延层的掺杂浓度。

7.如权利要求2所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述槽栅的深度为0.5-3μm，所述槽栅氧化层的厚度为40-90nm。

8.如权利要求2所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述P区的深度为1-4μm且大于槽栅的深度，其掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³～1×10²⁰/cm³。

9.如权利要求2所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述P区与槽栅的宽度比取值范围为1-2。

10.如权利要求1所述的累积型MOS沟道二极管结构，其特征在于：所述阳极金属包括一体成型的连接部及两个凸起部，两个所述凸起部设置在连接部的两端且凸起方向朝向阴极金属所在方向，所述P区包括P区接触槽，所述P区接触槽分别与凸起部靠近阴极金属的一端及靠近另一凸起部的一端接触，所述P区接触槽的深度为0-3μm。