[发明专利]一种超辐射发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上依次外延生长出下光限制层、第一MQW多量子阱层以及上光限制层；

通过刻蚀去掉其中一部分第一MQW多量子阱层，然后在该刻蚀区域对接生长第二MQW多量子阱层，两多量子阱层所在区域为有源区；两多量子阱层的能带间隙不同；

在上光限制层上外延生长包覆层，在包覆层上的中间区域制作出有源区的掩膜图形；

通过刻蚀去掉有源区两侧的包覆层、上光限制层、两多量子阱层以及下光限制层，然后在第二次刻蚀区域制作出异质结掩埋结构；

在有源区两侧的异质结掩埋结构中各刻蚀出一道沟槽，沟槽距离有源区水平方向10-15um，沟槽的深度为3-4um；在沟槽内均设置金属层，金属层的厚度小于等于为有源区引入额外应变；

对金属层进行不同温度的热处理，进一步改变有源区应变。

2.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，采用金属蒸发或化学镀金属的方式在沟槽内设置金属层。

3.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，在有源区两侧制作出异质结掩埋结构后，在包覆层上生长欧姆接触层。

4.根据权利要求3所述的超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，该方法还包括步骤：从有源区端部选取一段区域作为光损耗吸收区，腐蚀去掉光损耗吸收区上方的欧姆接触层，该段光损耗吸收区波导为弯曲波导。

5.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，异质结掩埋结构为反向pn结结构。

6.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，该方法还包括步骤：在有源区上方制作p面电极，将衬底减薄制作n面电极。

7.根据权利要求6所述的超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，该方法还包括步骤：对二极管的两个端面均进行解理，解理后在两个端面上均镀膜AR增透膜。

8.一种超辐射发光二极管，其特征在于，包括衬底，衬底上设有脊波导以及异质结掩埋结构；脊波导从下到上依次包括下光限制层、MQW多量子阱层、上光限制层以及包覆层，其中，MQW多量子阱层包括能带间隙不同的第一MQW多量子阱层以及第二MQW多量子阱层；脊波导两侧的异质结掩埋结构中还各设有一道沟槽，沟槽距离有源区水平方向10-15um，沟槽的深度为3-4um；沟槽内均设有金属层，金属层的厚度小于等于