[发明专利]电机建模方法、装置、设备和介质有效

专利信息
申请号: 202011223761.5 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN112380797B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 刘璇;刘志强;陶冶;李敏 申请(专利权)人: 中国第一汽车股份有限公司
主分类号: G06F30/30 分类号: G06F30/30;G01R27/02;G06F119/02
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 范坤坤
地址: 130011 吉林省长*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 电机 建模 方法 装置 设备 介质
【权利要求书】:

1.一种电机建模方法,其特征在于,包括:

获取电机阻抗数据;

基于所述阻抗数据的变化情况确定电机模型阶数;

基于所述阻抗数据和所述电机模型阶数建立电机模型;

其中,基于所述阻抗数据的变化情况确定电机模型阶数n,包括:

基于所述阻抗数据确定阻抗曲线;

检测所述阻抗曲线中谐振波峰数量和/或波谷数量;

将所述波峰数量和/或波谷数量作为电机模型的阶数n;

其中,所述阻抗数据包括差模阻抗数据和共模阻抗数据;

基于所述阻抗数据和所述电机模型阶数建立电机模型,包括:

基于所述差模阻抗数据建立n阶差模阻抗模型;

基于所述共模阻抗数据建立n阶共模阻抗模型;

基于所述n阶差模阻抗模型,n阶共模阻抗模型以及模型参数关系确定电机三相阻抗模型,其中,模型参数关系是指差模阻抗模型、共模阻抗模型与三相阻抗模型之间的参数关系;

其中,基于所述差模阻抗数据建立n阶差模阻抗模型,包括:

在所述差模阻抗数据中,确定差模阻抗曲线的谐振峰频率和谐振谷频率;

基于所述差模阻抗数据建立第一矩阵方程;

求解所述第一矩阵方程得到所述差模阻抗模型的各阶电容值;

基于所述差模阻抗模型各阶电容值确定差模阻抗模型的各阶电感值;

基于所述差模阻抗曲线的谐振峰频率和谐振谷频率下的电阻值,确定差模阻抗模型的各阶电阻值;

基于所述差模阻抗模型各阶电容值,差模阻抗模型各阶电感值和差模阻抗模型各阶电阻值确定n阶差模阻抗模型;

其中,基于所述共模阻抗数据建立n阶共模阻抗模型,包括:

在所述共模阻抗数据中,确定共模阻抗曲线的谐振峰频率和谐振谷频率;

基于所述共模阻抗数据建立第二矩阵方程;

求解所述第二矩阵方程得到所述共模阻抗模型的各阶电容值;

基于所述共模阻抗模型各阶电容值和共模阻抗曲线的谐振谷频率确定共模阻抗模型的各阶电感值;

基于差模阻抗模型的各阶电阻值确定差模阻抗模型的各阶电阻值;

基于所述共模阻抗模型各阶电容值,共模阻抗模型各阶电感值和共模阻抗模型各阶电阻值确定n阶共模阻抗模型。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,基于所述差模阻抗数据建立第一矩阵方程,包括:

基于差模阻抗曲线中最低频率处的阻抗和最低频率确定n阶差模阻抗模型中的最大电感;

基于并联谐振频率与所述n阶差模阻抗模型中的最大电感确定n阶差模阻抗模型中的总电容;

建立谐振峰频率和谐振谷频率,各阶电容与所述n阶差模阻抗模型中的总电容的关系。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,基于所述共模阻抗数据建立第二矩阵方程,包括:

基于共模阻抗曲线中最低频率处的阻抗和最低频率确定n阶差模阻抗模型中的总电容;

建立谐振峰频率和谐振谷频率,各阶电容与所述n阶共模阻抗模型中的总电容的关系。

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