[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括

基板；

遮光金属层，设于所述基板上；

缓冲层，设于所述基板上且覆盖所述遮光金属层；

有源层，设于所述缓冲层上，且对应所述遮光金属层，所述有源层包括导体化有源区；

绝缘层，间隔设于所述基板上，且部分覆盖所述有源层；

有源层开孔，设于所述有源层上；以及

若干金属单元，设于所述绝缘层上，且与所述有源层连接；

其中，所述有源层开孔与所述金属单元之间具有一间隙。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述金属单元包括

栅极，设于绝缘层上；以及

源漏极，设于一绝缘层上，位于所述栅极两侧，且与所述有源层连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括

缓冲层凹槽，下凹于所述缓冲层，且对应所述有源层开孔；

所述缓冲层凹槽位于所述栅极与源漏极之间。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述缓冲层凹槽尺寸与有源层开孔尺寸的相等。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述导体化有源区面积占所述有源层面积的60％～90％。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制备遮光金属层；

在所述基板上制备缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光金属层；

在所述缓冲层上沉积一层半导体材料，形成有源层；

在所述缓冲层上沉积一层绝缘材料，形成覆盖所述半导体层的绝缘层；

在所述绝缘层对应所述有源层的位置刻蚀绝缘层开孔；

将所述基板进行整面等离子处理，绝缘层开孔对应的有源层形成第一导体化区；

在所述绝缘层上沉积一层金属材料，形成金属层；

通过黄光工艺刻蚀所述金属层形成栅极和源漏极，其中所述源漏极与所述第一导体化区连接，刻蚀所述第一导体化区形成有源层开孔；

采用自对准工艺，保留栅极和源漏极下方的绝缘层，去除绝缘层其他裸露的部分；

将所述基板进行整面等离子处理，部分有源层形成导体化有源区。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述金属材料包括Mo，Al，Cu，Ti中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

采用酸性刻蚀液刻蚀所述金属层，其中，所述酸性刻蚀液的PH值大于5.0。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述栅极、源漏极、和所述有源层上制备钝化层；

在所述钝化层对应所述源漏极处刻蚀通孔；

在所述钝化层上制备像素电极，所述像素电极填充所述通孔并连接至所述源漏极。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。