[发明专利]一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法

权利要求书

1.一种高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板表面设置有分立的发射极导电层和集电极导电层；

位于部分所述集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有发射极，所述发射极与所述发射极导电层电学连接；

集电极引出端子，所述集电极引出端子位于所述集电极导电层上且与所述集电极导电层电学连接；

发射极引出端子，所述发射极引出端子位于所述发射极导电层上且与所述发射极导电层电学连接；

所述集电极引出端子包括第一段区，所述发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向所述发射极引出端子凹进，和/或，所述第二段区朝向所述集电极引出端子凹进；

第一绝缘填充层，第一绝缘填充层位于所述第一段区与所述第二段区之间。

2.根据权利要求1所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述集电极导电层与所述发射极导电层相对设置，所述高压功率半导体芯片位于所述集电极引出端子和所述发射极引出端子之间。

3.根据权利要求1所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，还包括：

底板；所述基板位于部分底板上；

绝缘框体；所述绝缘框体包括：中空结构的框架本体，所述框架本体位于基板周围的所述底板上；搭载在所述框架本体上的框盖，所述框盖中具有贯穿所述框盖的集电极开口和发射极开口；

所述集电极引出端子位于所述框架本体中且延伸至集电极开口外，所述发射极引出端子位于所述框架本体中且延伸至发射极开口外，第一段区和第二段区位于所述框架本体的内部；

所述框盖包括框盖本体和与所述框盖本体连接的绝缘填充层，所述绝缘填充层位于所述集电极开口和发射极开口之间，所述绝缘填充层包括第一绝缘填充层，第一绝缘填充层相对于所述框盖本体朝向底板延伸。

4.根据权利要求3所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，

所述第一段区位于集电极引出端子的顶端和底端之间，第二段区位于发射极引出端子的顶端和底端之间；所述集电极引出端子的顶端至发射极引出端子的顶端之间的距离大于所述第一段区至第二段区之间的距离；

所述绝缘填充层还包括与所述框盖本体连接的第二绝缘填充层，所述第二绝缘填充层位于第一绝缘填充层背向所述底板的一侧且与所述第一绝缘填充层连接；

所述集电极引出端子的顶端至第一段区的顶端之间的区域为第三段区，发射极引出端子的顶端至第二段区的顶端之间的区域为第四段区；

所述第二绝缘填充层位于第三段区和第四段区之间。

5.根据权利要求4所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述第二绝缘填充层为加强筋结构。

6.根据权利要求3所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述集电极引出端子远离所述基板的顶端设置有第一连接片；所述发射极引出端子远离所述基板的顶端设置有第二连接片；

所述绝缘框体还包括：分别位于所述集电极开口和发射极开口中的填充件，且填充件搭载在所述框架本体上；所述第一连接片和所述第二连接片位于所述填充件背向所述基板的一侧且与所述填充件的上表面接触。

7.根据权利要求6所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述第一连接片中具有贯穿所述第一连接片的第一孔；所述第二连接片中具有贯穿所述第二连接片的第二孔；所述填充件中具有贯穿所述填充件的第三孔，位于所述第一连接片下方的所述填充件的第三孔与所述第一孔连通，位于所述第二连接片下方的所述填充件的所述第三孔与所述第二孔连通。

8.根据权利要求1所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述集电极引出端子的高度为38mm-40mm；所述发射极引出端子的高度为38mm-40mm。