[发明专利]一种用于定位和检测玻璃封接结构表面导电型通路的方法

权利要求书

1.一种用于定位和检测玻璃封接结构表面导电型通路的方法，其特征在于该方法的步骤包括：

(1)使用电阻检测仪器检测玻璃封接结构的绝缘电阻，当检测到的绝缘电阻的阻值低于设定阈值，则被检测的玻璃封接结构为待测样品，否则，被检测的玻璃封接结构无需进行后续检测；

(2)清除步骤(1)中的待测样品的表面遮挡物，去除遮挡物的过程不得损伤待测样品表面；

(3)将待测样品直接置于可抽真空受控带电粒子束设备内进行试验，且待测样品的法向与入射带点粒子束的方向平行，然后设置场发射扫描电子显微镜的工作距离、加速电压和束流强度，开始进行扫描并进行对焦，对焦时不在玻璃封接结构区域进行对焦；

(4)步骤(3)中对焦清晰后，调整到设备的最小放大倍数，且扫描速度每帧不超过900ms，调节对比度为20％-45％，亮度为40％-60％；

(5)将待测样品移动至视场中心位置，调节设备的放大倍数使待测样品的整个完整的玻璃封接结构均位于视场中部，并调节扫描速度每帧为900ms-5s，扫描次数为5-30次；

(6)采集导电程度及微观形貌的综合衬度图像，获得若干个导电通路位置信息；

(7)对步骤(6)中获得的其中一个导电通路位置处的综合衬度图像进行放大500-50000倍，并采集图像，获得微纳米尺度的导电通路形态和尺寸信息；

所述的步骤(3)中，场发射扫描电子显微镜工作距离为30mm～50mm；

所述的步骤(3)中，场发射扫描电子显微镜加速电压为5kV-15kV，束流为100pA-400pA；

所述的步骤(5)中，调节设备的放大倍数使待测样品的整个完整的玻璃封接结构均位于视场中部即使整个完整的玻璃封接结构的中心与视场的中心重合。

2.根据权利要求1所述的一种用于定位和检测玻璃封接结构表面导电型通路的方法，其特征在于：

所述的步骤(3)中，可抽真空受控带电粒子束设备的真空度等同或优于10^-3Pa。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于定位和检测玻璃封接结构表面导电型通路的方法，其特征在于：可抽真空受控带电粒子束设备为场发射扫描电子显微镜。

4.根据权利要求1所述的一种用于定位和检测玻璃封接结构表面导电型通路的方法，其特征在于：

所述的步骤(3)中，场发射扫描电子显微镜中探测器为二次电子探测器SE2。

5.根据权利要求1所述的一种用于定位和检测玻璃封接结构表面导电型通路的方法，其特征在于：

将待测样品从场发射扫描电子显微镜中取出后使用离子风机去除表面积累的电荷，重复步骤(3)-(7)，获得另一个导电通路位置处的微纳米尺度的导电通路形态、尺寸信息。