[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 202011224643.6 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112786662A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 文知浩;朴钟宇;赵大衍;崔荣太 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/02 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;陈俊 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
本发明的实施例涉及一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括基板、第一有源图案、第一栅极电极、第二栅极电极、第三栅极电极、金属图案和有机发光二极管。第一有源图案设置在基板上,并且包括第一区域、第二区域和第三区域。第三栅极电极设置在第一栅极电极和第二栅极电极设置在其上的第一有源图案上,与第二区域重叠,并且与第一栅极电极一起形成存储电容器。金属图案设置在第一有源图案和第三栅极电极之间并且与第二区域重叠。
技术领域
本公开总体上涉及一种有机发光显示装置,并且更具体地涉及一种包括金属图案的有机发光显示装置。
背景技术
近来,有机发光显示装置作为显示装置已引起关注。通常,有机发光显示装置可以包括多个像素电路,并且每个像素电路可以包括晶体管、至少一个存储电容器和有机发光二极管。晶体管可以包括用于生成驱动电流并且将驱动电流供应给有机发光二极管的第一晶体管,以及用于响应于扫描信号而将数据电压传输到第一晶体管的第二晶体管。可以通过在发射时段和非发射时段的每一个期间分别导通或截止晶体管来驱动像素电路。
在像素电路被驱动的情况下,第二晶体管的阈值电压可能随着像素电路内部的温度升高而改变。因此,在用于使第二晶体管截止的扫描信号提供给第二晶体管的情况下,可能生成流过第二晶体管的漏电流。例如,在第二晶体管截止的非发射时段期间,提供给第二晶体管的数据电压(例如,与黑色图像对应的黑色数据电压)可以提供给第一晶体管。数据电压可能干扰通过第一晶体管生成驱动电流的操作,使得在常规有机发光显示装置上可能显示不期望的水平线。
将理解的是,此背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而,此背景技术部分也可以包括不是相关领域的普通技术人员在本文中公开的主题的对应有效申请日之前已知或理解的思想、概念或认识的一部分的思想、概念或认识。
发明内容
本发明的一些实施例提供了一种包括金属图案的有机发光显示装置。
根据一实施例的一方面,一种有机发光显示装置包括基板、第一有源图案、第一栅极电极、第二栅极电极、第三栅极电极、金属图案和有机光发光二极管。第一有源图案设置在基板上,并且包括第一区域、第二区域和第三区域。第一栅极电极设置在第一有源图案上,与第一有源图案的一部分重叠,并且与第一区域和第二区域一起形成第一晶体管。第二栅极电极设置在第一有源图案上,并且与第二区域和第三区域一起形成第二晶体管。第一栅极电极和第二栅极电极设置在同一层上。第三栅极电极设置在第一栅极电极上,与第二区域重叠,并且与第一栅极电极一起形成存储电容器。金属图案设置在第一有源图案和第三栅极电极之间并且与第二区域重叠。有机发光二极管电连接到第一晶体管、第二晶体管和存储电容器。
在一实施例中,金属图案可以屏蔽第二区域,使得在第二区域和第三栅极电极之间不生成寄生电容器。
在一实施例中,第一晶体管可以包括驱动晶体管,以及数据电压提供给第二区域。
在一实施例中,金属图案可以沿着第二区域的平面形状设置。
在一实施例中,金属图案可以与第一栅极电极和第二栅极电极分隔开。
在一实施例中,可以不向金属图案提供电压。
在一实施例中,金属图案与第一栅极电极和第二栅极电极可以设置在同一层上。
在一实施例中,第一区域、第二区域和第三区域可以与第一栅极电极和第二栅极电极不重叠。第二区域可以设置在第一区域和第三区域之间。数据电压可以通过第二晶体管提供给第二区域,并且提供给第二区域的数据电压可以提供给第一晶体管。
在一实施例中,第一晶体管和第二晶体管可以是PMOS晶体管。
在一实施例中,第一有源图案可以包括硅半导体。
在一实施例中,离子可以注入到第一区域、第二区域和第三区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的