[发明专利]一种承载装置及半导体反应腔室

说明书

本发明公开一种承载装置及半导体反应腔室，承载装置用于半导体反应腔室承载待加工件，承载装置包括静电卡盘、聚焦环组件、聚焦环顶针和驱动装置；静电卡盘设置于半导体反应腔室内，且用于承载待加工件；聚焦环组件包括：上聚焦环和下聚焦环，下聚焦环环设于静电卡盘的外侧；下聚焦环的上表面设有凹槽；下聚焦环的上表面靠近静电卡盘的一端为支撑面；上聚焦环的上表面位置高于支撑面；上聚焦环的下表面设有限位槽，限位槽对应凹槽设置；聚焦环顶针贯穿凹槽的底壁并与限位槽配合，在垂直于聚焦环顶针的移动方向上，聚焦环顶针与限位槽实现限位；驱动装置用于驱动聚焦环顶针升降上聚焦环。上述方案能够解决半导体反应腔室的安全性能较差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种承载装置及半导体反应腔室。

背景技术

随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，而半导体芯片的主要制造材料就是晶圆。晶圆需要刻蚀出线路图案，通常采用半导体工艺设备对晶圆进行刻蚀。

以刻蚀机为例，刻蚀机的半导体反应腔室内设置有静电卡盘和聚焦环，静电卡盘用来支撑晶圆，聚焦环环绕静电卡盘设置，聚焦环能够对半导体反应腔室内的等离子体进行汇聚，从而能够提高晶圆被刻蚀的均匀性。

然而，由于半导体反应腔室在刻蚀晶圆的过程中，聚焦环的顶面也会被刻蚀，从而使得晶圆的边缘的刻蚀速率加快，进而使得晶圆的边缘区域与晶圆的中心区域的刻蚀速率相差较大，从而造成晶圆的刻蚀的均匀性较差。为了提高晶圆刻蚀的均匀性，当聚焦环的顶面被刻蚀后，驱动机构可以驱动顶针顶起聚焦环，从而用以补偿聚焦环被刻蚀的部分，从而使得晶圆的刻蚀的均匀性较高。

但是，驱动机构在驱动聚焦环升起时，顶针仅顶靠在聚焦环的底面上，聚焦环处于悬空状态，当聚焦环受到冲击力时，容易从驱动机构上掉落，从而造成半导体反应腔室的安全性较差。

发明内容

本发明公开一种承载装置及半导体反应腔室，以解决半导体反应腔室的安全性较差的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种承载装置，用于半导体反应腔室承载待加工件，包括：

静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述半导体反应腔室内，且用于承载所述待加工件；

聚焦环组件，所述聚焦环组件包括：上聚焦环和下聚焦环，所述下聚焦环环设于所述静电卡盘的外侧；所述下聚焦环的上表面设有凹槽，所述上聚焦环以位置可升降的方式设置于所述凹槽内；

所述下聚焦环的上表面靠近所述静电卡盘的一端为支撑面，所述支撑面和所述静电卡盘的上表面平齐，并用于共同支撑所述待加工工件；所述上聚焦环的上表面位置高于所述支撑面，且所述上聚焦环的内环壁的直径大于所述待加工件的直径；

所述上聚焦环的下表面设有限位槽，所述限位槽对应所述凹槽设置；

聚焦环顶针，所述聚焦环顶针贯穿所述凹槽的底壁并与所述限位槽配合，在垂直于所述聚焦环顶针的移动方向上，所述聚焦环顶针与所述限位槽实现限位；

驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述聚焦环顶针升降所述上聚焦环。

一种半导体反应腔室，包括上述的承载装置。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的承载装置中，上聚焦环的下表面设有限位槽，聚焦环顶针贯穿凹槽的底壁并与限位槽限位配合，实现限位。具体的操作过程中，驱动装置能够驱动聚焦环顶针升降，当聚焦环顶针升起时，聚焦环顶针的上端能够伸入限位槽内。此方案中，当上聚焦环被聚焦环顶针顶起时，聚焦环顶针位于限位槽内，从而能够限制上聚焦环在水平方向的自由度，进而能够防止上聚焦环发生倾斜，从而使得上聚焦环不容易从聚焦环顶针上掉落，进而提高了半导体反应腔室的安全性。