[发明专利]一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用在审
申请号: | 202011224898.2 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112340695A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 李新;吴沛珊;肖淼 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B3/00 |
代理公司: | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 悬臂梁 阵列 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在硅片衬底上沉积一层的类金刚石薄膜;
干法刻蚀所述类金刚石薄膜后,再在其表面生长二氧化硅层;
利用CF4和He的混合气体干法刻蚀所述二氧化硅层后,再在其表面生长多晶硅层;
利用Cl2和He的混合气体干法刻蚀所述多晶硅层后,再腐蚀去除所述二氧化硅层,形成多晶硅悬臂梁,并经清洗、烘干后,得到所述多晶硅悬臂梁阵列结构。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述类金刚石薄膜的厚度为50~150nm。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述硅片衬底为Si(100)。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述CF4和He的混合气体中,CF4与He的体积比为(1~3):(5~7)。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述Cl2和He的混合气体中,Cl2和He的体积比为(2~4):(6~8)。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述步骤中,利用HF缓冲液腐蚀去除所述二氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述HF缓冲液包括HF、NH4F和H2O。
8.根据权利要求7所述的一种多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法,其特征在于,所述HF缓冲液中,HF、NH4F和H2O的体积比为10:(30~50):(2~4)。
9.一种如权利要求1~8中任一项所述制备方法制得的多晶硅悬臂梁阵列结构。
10.一种如权利要求9所述的多晶硅悬臂梁阵列结构在微机电系统中的应用。
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