[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻式随机存取存储器单元的集成电路，其特征在于，包括：

衬底；

磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；

导体层，位于所述磁性隧道结的所述第一端和所述衬底之间，可导入电流；以及

刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上；其中，

形成刻蚀停止层的材料为金属。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：

第一电连接件，其包括两个，分别位于所述磁性隧道结相对设置的两侧，并且与所述导体层电连接，用于向所述导体层导入第一方向电流和第二方向电流；其中所述第一方向和所述第二方向相反，并且与所述磁性隧道结两端所在的延长线垂直。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：

第一电连接件，其包括一个，位于所述磁性隧道结下方，并且与所述导体层电连耦接。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：

隧道结侧壁介质保护结构，环绕所述磁性隧道结的侧壁设置。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：

顶电极结构，所述顶电极结构包括：第二电连接件，与所述刻蚀停止层电连接；以及顶电极走线，与所述第二电连接件耦接。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：

介质填充层，包围在所述隧道结侧壁介质保护结构的外侧。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述隧道结侧壁介质保护结构包括：

第一保护层和第二保护层，所述第一保护层靠近所述磁性隧道结的侧壁，所述第二保护层位于所述第一保护层的外侧。

8.一种用于制造磁阻式随机存取存储器单元的集成电路的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成衬底；

形成磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；

形成导体层，位于所述磁性隧道结的所述第二端和所述衬底之间，可接入电流；以及

形成刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上，并由金属材料形成。

9.一种磁阻式随机存取存储器单元，其特征在于，包括：

衬底；

磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；

导体层，位于所述磁性隧道结的所述第一端和所述衬底之间，可导入电流；以及

刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上；其中，

形成刻蚀停止层的材料为金属。

10.一种磁阻式随机存取存储器单元阵列，包括多个阵列排布的存储器单元，每个存储器单元包括：

衬底；

磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；

导体层，位于所述磁性隧道结的所述第一端和所述衬底之间，可导入电流；以及

刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上；其中，

形成刻蚀停止层的材料为金属。

11.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包括多个存储器单元阵列，每个存储器单元阵列包括多个阵列排布的存储器单元，每个存储器单元包括：

衬底；

磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；

导体层，位于所述磁性隧道结的所述第一端和所述衬底之间，可导入电流；以及

刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上；其中，

形成刻蚀停止层的材料为金属。