[发明专利]一种图像传感器像素电路以及图像传感阵列有效
申请号: | 202011226144.0 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112511769B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 张盛东;彭志超;廖聪维;梁键;邱赫梓;安军军 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H04N5/341 | 分类号: | H04N5/341;H04N5/353;H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕 |
地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 像素 电路 以及 图像 传感 阵列 | ||
1.一种图像传感器像素电路, 其特征在于,包括光敏单元、存储单元和读出单元;
所述光敏单元用于接受入射光曝光以产生光电信号,并且该光敏单元在光照撤去之后其产生的光电信号仍能保持第一预设时间;
所述存储单元与所述光敏单元耦合,该存储单元用于在积分阶段将所述光电信号进行存储得到第一电信号,所述积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间;
所述读出单元与所述存储单元耦合,该读出单元用于将所述存储单元存储的第一电信号输出;
所述光敏单元、存储单元和读出单元均由同一类型的晶体管工艺制备而成;
所述读出单元包括第一晶体管和第二晶体管;所述光敏单元包括第三晶体管,所述存储单元包括存储电容;
所述第三晶体管的第一极连接预设的偏置电压Vref,其第二极与所述第一晶体管的第一极连接,所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极连接,所述第二晶体管的第二极为输出端用于输出所述存储单元存储的第一电信号;所述第三晶体管的控制极通过所述存储电容与所述第一晶体管的第二极连接。
2.如权利要求1所述的像素电路, 其特征在于,所述第一晶体管的控制极上连接有第一驱动信号线,用于接收对应的控制信号以打开所述第一晶体管,使得所述第一晶体管和第三晶体管之间通过所述存储电容导通,以使得所述存储电容对所述光电信号进行积分得到所述第一电信号;
所述第二晶体管的控制极上连接有第二驱动信号线,用于接收对应的控制信号以打开所述第二晶体管,将所述存储电容上的第一电信号从所述第二晶体管的第二极上输出;
所述第三晶体管的控制极上连接有第三驱动信号线,用于接收对应的控制信号以消除所述第三晶体管曝光时产生的光电信号使得其恢复到未接受光照时的电导状态。
3.如权利要求1所述的像素电路, 其特征在于,所述读出单元还包括运算放大器、第一电容和第一开关;
所述第二晶体管的第二极与所述运算放大器的负向输入端连接,所述运算放大器的正向输入端连接预设参考电平;所述第一电容一端与所述运算放大器的负向输入端连接,另一端与所述运算放大器的输出端连接;所述第一开关一端与所述运算放大器的负向输入端连接,另一端与所述运算放大器的输出端连接;所述运算放大器的输出端用于输出所述存储单元上的第一电信号。
4.如权利要求1所述的像素电路, 其特征在于,所述第一晶体管和第二晶体管为场效应薄膜晶体管;所述第三晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管或薄膜晶体管。
5.如权利要求1所述的像素电路, 其特征在于,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均为双栅型氧化物薄膜晶体管;
其中,第一晶体管的两个栅极短接、第二晶体管的两个栅极也短接,第三晶体管的一个栅极用于接收光照信号,另一个栅极为其控制极并通过所述存储电容与所述第一晶体管的第二极连接。
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