[发明专利]一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法

权利要求书

1.一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在Si和SiO₂双层衬底上进行磁控溅射，生长Nb₅N₆热敏薄膜；

步骤2，在Nb₅N₆薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜后，剥离出电极；

步骤3，在Nb₅N₆薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb₅N₆，形成Nb₅N₆薄膜微桥；

步骤4，在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶，通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口，通过湿法刻蚀刻蚀掉窗口中的SiO₂，通过反应离子分步刻蚀法，先刻蚀掉窗口的部分Si，再横向刻蚀微桥下方，形成空气腔;

步骤1中，利用高纯铌靶进行射频磁控溅射生成Nb₅N₆薄膜，所述Nb₅N₆薄膜的厚度为120nm~140nm；

步骤4中，反应离子分步刻蚀法所用的气体为SF₆，刻蚀中气体流量为40sccm，工作气压为8pa，刻蚀功率为85W，每刻蚀3分钟暂停一次，暂停时间为10s，每刻蚀9分钟重新充入一次刻蚀气体。

2.根据权利要求1所述的基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤2中，在Nb₅N₆薄膜上先后旋涂LOR10B和AZ1500光刻胶，然后通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，再使用直流磁控溅射的方式磁控生长Au薄膜，所述Au薄膜厚度为140nm，最后剥离出电极。

3.根据权利要求1所述的基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤3中，在Nb₅N₆薄膜上旋涂AZ1500光刻胶，然后通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，所述微桥形状为矩形，再使SF₆进行反应离子刻蚀多余的Nb₅N₆，形成Nb₅N₆薄膜微桥。

4.根据权利要求1所述的基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤4中，使用BOE进行湿法刻蚀，刻蚀掉窗口中的SiO₂。

5.一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器，其特正在于，通过权利要求1-4任一项所述的方法制备得到。