[发明专利]一种半导体制冷片性能参数测试方法

权利要求书

1.一种半导体制冷片性能参数测试方法，其特征在于：所述测试方法采用半导体制冷元器件性能参数测试装置对半导体制冷片进行测试；所述测试装置包括带第一工质入口、第一工质出口的冷腔，还包括带第二工质入口、第二工质出口的热腔；所述冷腔和热腔均设有保温层；冷腔和热腔之间的分隔结构处设有制冷片固定部，当半导体制冷片固定于制冷片固定部处时，半导体制冷片冷端与冷腔腔壁接触，制冷片热端与热腔腔壁接触；当进行测试时，以流经冷腔的第一工质对制冷片冷端进行热交换，以流经热腔的第二工质对制冷片热端进行热交换，根据测得的第一工质入口与第一工质出口的第一工质温差、第二工质入口与第二工质出口的第二工质温差、第一工质流量、第二工质流量对制冷片性能参数或当前工况进行计算。

2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷片性能参数测试方法，其特征在于：当进行测试时，所述半导体制冷片的性能参数理论计算包括以下公式；

冷热端温差为ΔT＝T_h-T_c 公式四；T_h为运行工况下半导体制冷片热端温度，T_c为运行工况下半导体制冷片冷端温度；

半导体制冷片的工作电压为U＝IR+αΔT 公式一；I为运行工况下半导体制冷片工作电流，R为运行工况下半导体制冷片工作电阻；

半导体制冷片的冷端制冷量为

半导体制冷片的热端散热量为

半导体制冷片的导热系数为

或

半导体制冷片的优值系数

上述公式中，α为赛贝克系数，单位为V/℃；K为半导体制冷片的导热系数，单位为W/℃。

3.根据权利要求2所述的一种半导体制冷片性能参数测试方法，其特征在于：所述半导体制冷片的冷端制冷量通过测量所得的第一工质温差和第一工质流量计算；所述半导体制冷片的热端散热量通过测量所得的第二工质温差和第二工质流量计算；

所述冷腔、热腔均为以小导热系数材料成型的管道；

所述冷腔、热腔分别以设于腔壁处的导热金属片与半导体制冷片的冷端、热端相接触；所述导热金属片的接触热阻为可忽略的微小值；所述导热金属片与管道内侧壁面均为连续平整的壁面。