[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞的下端比源区/漏区的下端靠近基底。

本申请要求于2019年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0163652号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术

随着对半导体装置的相对高性能、相对高速度和/或多功能的需求增大，半导体装置的集成程度的需求也增大。为了制造具有与相对高集成度对应的精细图案的半导体装置，会需要制造具有精细宽度或精细间隔距离的图案的设备。此外，为了克服由于平面金属氧化物半导体FET(MOSFET)的尺寸减小而引起的操作特性的限制，已经努力开发包括具有三维沟道的FinFET的半导体装置。

发明内容

本发明构思的方面提供了一种具有改善的电特性的半导体装置。

根据本发明构思的一些方面，一种半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞的下端定位得比源区/漏区的下端靠近基底。

根据本发明构思的一些方面，一种半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域，并且包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，分别位于所述第一区域和所述第二区域上，与有源区交叉，并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上，并且在上端中包括金属-半导体层；接触插塞，位于栅极结构的所述至少一侧上，具有外表面的与源区/漏区接触的部分，并且具有定位在比源区/漏区的下端低的水平上的下端；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，每个栅极结构包括顺序地堆叠在基底上的栅极绝缘层和栅电极层以及栅电极层的在第一方向上的侧壁上的栅极间隔件层，其中，所述第一区域中的栅电极层和与栅电极层相邻的每个接触插塞之间的第一距离比所述第二区域中的栅电极层和与栅电极层相邻的每个接触插塞之间的第二距离短。

根据本发明构思的一些方面，一种半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，包括与有源区交叉并且在第二方向上延伸的栅电极层；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；接触绝缘层，与栅极结构接触并且围绕接触插塞的侧壁；以及侧壁绝缘层，与源区/漏区的外表面的一部分接触并且与接触插塞接触。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将会被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图2A至图2C是示出根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。

图3是示出根据一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图4A和图4B是示出根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。

图5是示出根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。

图6A和图6B是示出根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。

图7是示出根据一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图8是示出根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。

图9A至图9C是根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。