[发明专利]一种新型阻容复合芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种新型阻容复合芯片，其特征在于，包括电阻芯片、电容芯片、两根引线，以及用于包覆电阻芯片和电容芯片的保护层；所述电阻芯片与电容芯片并联连接，两根所述引线平行设置，并分别与电阻芯片两面的电极连接，所述保护层为聚氨酯丙烯酸酯大分子单体经过聚合、交联、固化而成，所述保护层内分散有碳纳米管，所述碳纳米管内填充有氧化铁。

2.根据权利要求1所述的一种新型阻容复合芯片，其特征在于，所述聚氨酯丙烯酸酯大分子单体包括以下重量份数的原料：

二氯甲烷15～20份、四氢呋喃9～12份、环氧环己烷12～16份、三氟化硼乙醚0.18～0.25份、乙二醇0.05～0.12份、异佛尔酮二异氰酸酯60～70份、二月桂酸二丁基锡0.15～0.20份、甲基丙烯酸-β-羟乙酯35～40份、偶氮二异丁腈0.7～1.0份；其制备方法如下：

1)分别取二氯甲烷和四氢呋喃混合均匀，加入三氟化硼乙醚和乙二醇，然后于0℃的恒温水浴锅中搅拌20～30min，取环氧环己烷加入恒温滴液漏斗中进行滴加，滴加完成后于0℃下充分反应3～5h，然后加入四氢呋喃2倍体积的去离子水，继续搅拌5min，静置分层，分液除去去离子水，再通过减压蒸馏除去未反应原料、溶剂和少量的水，得到无色透明粘稠液体的环氧环己烷-四氢吠喃共聚醚；

2)取异佛尔酮二异氰酸酯和1)中得到的环氧环己烷-四氢吠喃共聚醚混合均匀，在氮气保护下再加入二月桂酸二丁基锡作为催化剂，于90℃下搅拌反应50min，然后加入甲基丙烯酸-β-羟乙酯，于75℃下反应40min，而后降温至40～45℃，加入偶氮二异丁腈作为引发剂，待其全部溶解后，真空干燥处理，得到聚氨酯丙烯酸酯大分子单体。

3.根据权利要求2所述的一种新型阻容复合芯片，其特征在于，1)中所述的减压蒸馏先于30℃～40℃，0.09MPa～0.1MPa的条件下蒸馏至无馏分流出，再于60℃～70℃，0.09MPa～0.1MPa的条件下进行蒸馏。

4.根据权利要求3所述的一种新型阻容复合芯片，其特征在于，所述碳纳米管内填充氧化铁的方法如下：

取碳纳米管，加入10倍重量的硝酸铁混合均匀，然后均匀分散于50倍体积的浓硫酸中，于80℃下回流5h，冷却，过滤除去滤液，滤渣用去离子水反复洗涤，然后于100℃下充分干燥，再于400℃的氩气氛围中煅烧5h，使硝酸铁转变为氧化铁，即得到填充氧化铁的碳纳米管。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的一种新型阻容复合芯片，其特征在于，所述电阻芯片为NTC热敏电阻芯片。

6.一种如权利要求5所述的新型阻容复合芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、根据需要阻值计算得出的尺寸，将电阻芯片划切成所需尺寸的长条；

S2、将电容芯片按照一定宽度划切成条；

S3、将划切成条的电阻芯片和电容芯片依次间隔粘合；

S4、将粘合好的复合芯片再次按照所需阻值计算得出的尺寸划切成所需尺寸的芯片；

S5、将步骤S4中得到的芯片的电阻芯片和电容芯片两面电极分别与两个平行设置的引线焊接，并使芯片插入两个引线之间；

S6、将焊接好的芯片外悬置于模具内，然后按100:3的质量比将聚氨酯丙烯酸酯大分子单体和填充氧化铁的碳纳米管混合均匀后，浇注到模具内，于45℃的烘箱内聚合、交联、固化4.5h，再将烘箱调至75℃，继续聚合、交联、固化9h后，冷却至室温即可。

7.根据权利要求6所述的一种新型阻容复合芯片的制造方法，其特征在于，所述保护层为多层结构，其加工方法如下：

A、在模具一内贴合一层多孔阳极氧化铝模板，然后将焊接好的芯片外悬置于模具一内，再将聚氨酯丙烯酸酯大分子单体浇注到模具一内，于45℃的烘箱内聚合、交联、固化4.5h，再将烘箱调至75℃，继续聚合、交联、固化9h后，冷却至室温，用Na0H溶液清洗除去多孔阳极氧化铝模板，形成第一层保护层；

B、在模具二内贴合一层多孔阳极氧化铝模板，然后将形成第一层保护层的芯片外悬置于模具二内，再将聚氨酯丙烯酸酯大分子单体和改性碳纳米管混合均匀后浇注到模具二内，于45℃的烘箱内聚合、交联、固化4.5h，再将烘箱调至75℃，继续聚合、交联、固化9h后，冷却至室温，用Na0H溶液清洗除去多孔阳极氧化铝模板，形成第二层保护层；

C、在形成第二层保护层的芯片外悬置于模具三内，然后将聚氨酯丙烯酸酯大分子单体浇注到模具三内，于45℃的烘箱内聚合、交联、固化4.5h，再将烘箱调至75℃，继续聚合、交联、固化9h后，形成第三层保护层即可。