[发明专利]半导体器件制备方法、半导体器件及三维存储器

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有氮化硅层；

在所述氮化硅层的表面依次形成第一多晶硅层、第一绝缘层和第二多晶硅层；

形成两个间隔设置的绝缘隔离体及第二绝缘层，且所述绝缘隔离体穿过所述第一多晶硅层、第一绝缘层和第二多晶硅层，其中，两个所述绝缘隔离体之间为电容区域，所述第二绝缘层覆盖所述电容区域和所述绝缘隔离体；

形成多个第一导电柱，多个所述第一导电柱穿过所述第二绝缘层且间隔设置，所述第一导电柱作为电容正极；

形成两个第二导电柱，其中，两个所述第二导电柱分别由第二绝缘层穿过两个所述绝缘隔离体与所述氮化硅层接触，所述第二导电柱作为电容负极；

去除所述衬底，并使两个所述第二导电柱露出所述第一多晶硅层背向所述第二多晶硅层的表面；

在所述第一多晶硅层背向所述第二多晶硅层的表面形成顶部金属层，所述第二导电柱露出的部分与所述顶部金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述形成两个间隔设置的绝缘隔离体及第二绝缘层的步骤中，包括

在所述第一多晶硅层、第一绝缘层和第二多晶硅层上开设两个间隔设置的通孔，且使每一所述通孔的两端分别贯穿所述第一多晶硅层和第二多晶硅层，

采用绝缘材料将所述通孔填充形成所述绝缘隔离体；

在形成所述绝缘隔离体的第二多晶硅层上形成所述第二绝缘层；

或者，同时形成所述绝缘隔离体和所述第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述形成多个第一导电柱的步骤中，包括

形成贯穿所述第二绝缘层的第一柱孔，

在所述第一柱孔内填充导电材料以形成所述第一导电柱，所述第一导电柱与所述第二多晶硅层接触。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述形成两个第二导电柱的步骤中，包括

形成第二柱孔，所述第二柱孔贯穿所述第二绝缘层和所述绝缘隔离体；

在所述第二柱孔内填充导电材料以形成所述第二导电柱，所述第二导电柱与所述氮化硅层接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一多晶硅层背向所述第二多晶硅层的表面形成顶部金属层的步骤包括

通过NPU和BTM工艺，在所述第一多晶硅层露出的表面形成所述顶部金属层，并且所述顶部金属层与所述第二导电柱接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在键合工艺中，去除所述衬底并使两个所述第二导电柱露出所述第一多晶硅层背向所述第二多晶硅层的表面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第二导电柱形成时，是伸入所述氮化硅层中。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括依次层叠设置的第一氧化物层、氮化硅层和第二氧化物层。

9.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括第一区域和与所述第一区域连接的第二区域，两个所述绝缘隔离体位于所述第一区域内，形成多个第一导电柱之前，包括步骤，在第二区域形成存储阵列，同时形成所述第二绝缘层。