[发明专利]一种基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器ESL提取方法有效
| 申请号： | 202011229111.1 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112433097B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 胡斯登;王明阳;梁梓鹏;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R31/00;G01R23/16 |
| 代理公司： | 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人： | 丁海华;万珠明 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 开关 瞬态 频率 信息 薄膜 电容器 esl 提取 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器ESL提取方法，其特征在于：按以下步骤进行：
a、搭建碳化硅MOSFET双脉冲测试平台；所述碳化硅MOSFET双脉冲测试平台包括依次串联的待测电容器、叠层母排、碳化硅肖特基势垒二极管和碳化硅MOSFET，碳化硅肖特基势垒二极管两端并联有负载电感；其中待测电容器作为碳化硅MOSFET双脉冲测试平台的母线电容，嵌入寄生参数已知的叠层母排中；
b、通过电压探头与示波器检测并采集碳化硅MOSFET开通或关断瞬态电压波形，并利用傅里叶变换，提取待测电容器与叠层母排的寄生电容之间回路所激发的电压欠阻尼振荡频率，记为f1；
c、根据步骤b测量的电压欠阻尼振荡频率f1，按如下公式计算待测电容器的内部ESL，记为LESL；
其中，L1与C1分别为参数已知的叠层母排的杂散电感与寄生电容。
2.根据权利要求1所述的基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器ESL提取方法，其特征在于：所述步骤c中叠层母排杂散电感L1与寄生电容C1通过基于有限元数值算法、表面元数值算法或PEEC数值算法的数值仿真软件进行提取。
3.根据权利要求1所述的基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器ESL提取方法，其特征在于：所述步骤c中叠层母排杂散电感L1与寄生电容C1通过LCR表、阻抗分析仪或网络分析仪进行提取。
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