[发明专利]半导体设备封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备封装，其包括：

天线层，所述天线层具有第一热膨胀系数CTE；

第一电路层，所述第一电路层安置在所述天线层之上，所述第一电路层具有第二CTE；以及

第二电路层，所述第二电路层安置在所述天线层之上，所述第二电路层具有第三CTE，

其中所述第一CTE与所述第二CTE之间的差值小于所述第一CTE与所述第三CTE之间的差值。

2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层安置成邻近所述第二电路层，并且所述第一电路层和所述第二电路层相对于所述天线层安置在同一高度处。

3.根据权利要求2所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层围绕所述第二电路层。

4.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层与所述第二电路层接触。

5.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括：封装体，所述封装体覆盖所述第一电路层和所述第二电路层。

6.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述封装体进一步在所述第一电路层与所述第二层之间延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括：衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，其中所述第一电路层和所述第二电路层安置在所述衬底的所述第一表面上，所述天线层安置在所述衬底的所述第二表面上，并且所述天线层和所述衬底的至少一部分限定天线区域。

8.根据权利要求7所述的半导体设备封装，其中所述衬底包括：

第一导电层，所述第一导电层安置在所述衬底的所述第一表面上；

第二导电层，所述第二导电层安置在所述衬底的所述第二表面上；以及

馈电通孔，所述馈电通孔穿透所述衬底并且将所述第一导电层与所述第二导电层电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层包括：

第三导电层；

第一介电层，所述第一介电层至少部分地覆盖所述第三导电层；以及

第一通孔，所述第一通孔穿透所述第一介电层和第一调平层，以电连接到所述第一导电层。

10.根据权利要求9所述的半导体设备封装，其进一步包括：第一调平层，所述第一调平层安置在所述衬底的所述第一表面上并且覆盖所述第一导电层。

11.根据权利要求10所述的半导体设备封装，其进一步包括：第一粘性层，所述第一粘性层将所述第一电路层连接到所述第一调平层，其中所述第一通孔进一步穿透所述第一粘性层。

12.根据权利要求10所述的半导体设备封装，其中所述第二电路层包括：

第四导电层；

第二介电层，所述第二介电层至少部分地覆盖所述第四导电层；以及

第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二介电层和所述第一调平层，以电连接到所述第一导电层。

13.一种半导体设备封装，其包括：

衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

第一电路层，所述第一电路层安置在所述衬底的所述第一表面上，所述第一电路层具有第一导电层和至少部分地覆盖所述第一导电层的第一介电层；以及

第二电路层，所述第二电路层安置在所述衬底的所述第一表面上，所述第二电路层具有第二导电层和至少部分覆盖所述第二导电层的第二介电层，

其中所述第一介电层的介电常数(Dk)小于所述第二介电层的Dk。

14.根据权利要求13所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层安置成邻近所述第二电路层，并且所述第一电路层和所述第二电路层相对于所述衬底安置在同一高度处。