[发明专利]一种基于MOS管的温度传感器有效
| 申请号： | 202011231226.4 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112345103B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李靖;余先银;尧博文;田明;宁宁;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 温度传感器 | ||
1.一种基于MOS管的温度传感器，其特征在于，包括正温度系数电压产生模块、负温度系数电压产生模块和输出模块，
所述负温度系数电压产生模块包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻，所述正温度系数电压产生模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和第二电阻，其中第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管均工作在亚阈值区；
第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的源极和第一电阻的一端，其源极连接第一电阻的另一端并接地，其漏极连接第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极；第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端，其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电压，其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极；
调节第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管的宽长比，令流经第二NMOS管的电流和流经第一PMOS管的电流相等，第二NMOS管的漏极输出负温度系数电压，第一PMOS管的漏极输出正温度系数电压；
所述输出模块用于获取所述正温度系数电压减去所述负温度系数电压的差值信号并作为所述温度传感器的输出信号。
2.根据权利要求1所述的基于MOS管的温度传感器，其特征在于，所述输出模块包括第一模数转换器和第二模数转换器，第一模数转换器用于将所述正温度系数电压转换为数字信号，第二模数转换器用于将所述负温度系数电压转换为数字信号，所述输出模块将第一模数转换器输出的数字信号减去第二模数转换器输出的数字信号后获得所述温度传感器的输出信号。
3.根据权利要求1所述的基于MOS管的温度传感器，其特征在于，所述输出模块用于将所述正温度系数电压减去所述负温度系数电压得到差值电压，再将所述差值电压转换为数字信号后作为所述温度传感器的输出信号。
4.根据权利要求1或2所述的基于MOS管的温度传感器，其特征在于，第一电阻和第二电阻的阻值相等。
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