[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括：基底，所述基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述像素岛区内设有薄膜晶体管层和发光器件层，其特征在于，所述像素岛区内还设有光敏器件层，所述光敏器件层包括沿着垂直于所述基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管层的源极或漏极相连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述像素岛区内且在所述基底的一侧设置有钝化层，所述薄膜晶体管层位于所述钝化层和所述基底之间，所述光敏器件层位于所述钝化层背向所述基底的一侧；

所述像素岛区内还设有金属连接层，所述金属连接层位于所述钝化层背向所述基底的一侧，所述金属连接层与所述薄膜晶体管层的源漏金属层相连接，所述第一电极与所述金属连接层材质相同且同步形成。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，自靠近所述基底到远离所述基底的方向上，所述PIN半导体层包括依次层叠设置的N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层；

所述钝化层背向所述基底的一侧依次层叠设有第一绝缘层、第一平坦层、第二绝缘层和第二平坦层；

所述第一绝缘层具有露出所述N型半导体层的第一开口，所述I型半导体层通过所述第一开口与所述N型半导体层相连，所述第一电极位于所述第一绝缘层背向所述基底的一侧且与所述N型半导体层相连接；

所述第一平坦层露出所述I型半导体层、所述P型半导体层和所述第一电极，所述金属连接层位于所述第一平坦层背向所述基底的一侧；

所述第二绝缘层覆盖所述第一电极，并露出所述金属连接层和所述P型半导体层；

所述第二平坦层覆盖所述第一电极，所述第二平坦层具有露出所述金属连接层的第二开口和露出所述P型半导体层的第三开口，所述第二电极通过所述第三开口与所述P型半导体层相连接。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述I型半导体层在所述基底上的正投影与所述N型半导体层在所述基底的正投影重叠，所述I型半导体层在所述基底上的正投影与所述P型半导体层在所述基底上的正投影重叠，且所述I型半导体层在所述基底上的正投影和所述P型半导体层在所述基底上的正投影均小于等于所述N型半导体层在所述基底的正投影。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件层设置于所述第二平坦层背向所述基底的一侧，所述发光器件层的阳极通过所述第二开口与所述金属连接层相连接。

6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；

在所述像素岛区内形成薄膜晶体管层；

在所述像素岛区内形成光敏器件层，所述光敏器件层包括沿垂直于所述基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极；

在所述像素岛区内形成发光器件层；其中，

所述光敏器件层的第一电极与所述薄膜晶体管层的源极或漏极相连接。