[发明专利]多小束带电粒子装置和方法

权利要求书

1.一种操作多小束带电粒子装置的方法，包括

形成多个带电粒子小束；

使所述多个小束中的每一个指向消隐电路；

在平移方向上平移附接到可移动台的靶；和

重复选择小束、初始化小束和使所述靶曝光的每个步骤；

其中

选择小束的所述步骤包括

使可重新配置的多个所选择的小束通过所述消隐电路；并且其中

初始化小束的所述步骤包括

使所述所选择的小束中的每一个指向在初始方向上；并且其中

使所述靶曝光的所述步骤包括：

使所述所选择的小束中的每一个从所述初始方向扫描到最终方向，和

用所述所选择的小束辐照在所述可移动台上的所述靶的多个区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中

所述靶是半导体材料，所述多个区域位于所述半导体材料上，所述使所述靶曝光是在所述半导体材料上直接地写入特征，并且其中

所述带电粒子是电子。

3.如权利要求1所述的方法，其中

所述多个区域被曝光于预定剂量的带电粒子，并且

所述预定剂量在曝光持续时间内被满足；其中

所述预定剂量足以在所述靶上产生所期望的特征。

4.如权利要求1所述的方法，其中

选择小束的所述步骤进一步包括：

将所述消隐电路的每个元件设定为通过元件或阻挡元件，每个元件是可重新配置的；

用多个对应阻挡元件中的每一个阻挡可重新配置的多个未选择的小束中的每一个；并且其中

可重新配置的多个通过元件中的相应通过元件使所述所选择的小束中的每一个通过。

5.如权利要求4所述的方法，其中，

选择小束的所述步骤进一步包括：

设定所述消隐电路的每个元件以形成所述元件的可重新配置的通过子集和可重新配置的阻挡子集，其中

所述通过子集的每个通过元件使所述多个所选择的小束中的所选择的小束通过，并且其中

所述阻挡子集的每个阻挡元件阻挡未选择的小束。

6.如权利要求5所述的方法，其中

在使所述靶曝光的第M次迭代之后，选择小束的所述步骤在使所述靶曝光的第N次迭代之前重新配置所述通过子集和所述阻挡子集中的每一个子集。

7.如权利要求6所述的方法，其中

在使所述靶曝光的所述步骤的所述第M次迭代期间，用通过所述消隐电路的对应通过元件的对应所选择的小束辐照所述多个区域中的多个对应区域中的每个区域。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中

在使所述靶曝光的所述步骤之后，执行选择小束和初始化小束的所述步骤；并且其中

初始化小束比使所述靶曝光快，并且其中

每次使所述靶曝光在至少10μs的曝光持续时间期间发生。

9.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述使所述靶曝光进一步包括：

将所述所选择的小束中的每一个聚焦到所述靶上的多个焦斑上，每个焦斑辐照所述多个区域中的对应区域；并且其中

将所述可移动台的所述扫描和所述平移同步并且对准，使得每个焦斑相对于所述靶固定。

10.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中

所述使所述靶曝光使得在所述平移方向上连续地扫描所述所选择的小束中的每一个。

11.如权利要求10所述的方法，其中

使所述靶曝光的所述步骤进一步包括

斜升偏转器的电压，使得连续地扫描所选择的所述小束中的每一个；和

在所述使所述靶曝光之后，执行初始化小束的所述步骤，初始化小束的所述步骤进一步包括

斜降所述偏转器的所述电压，使得所选择的所述小束中的每一个返回到所述初始方向。