[发明专利]一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法

权利要求书

1.一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1. 清洗基底后干燥；

S2.将基底置于沉积室，然后在基底表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，其中靶材为钒酸铋陶瓷靶，溅射时所述靶材与基底的夹角为60°-90°，溅射气体为为氩气和氧气，总压强为0.5～2.5 Pa，氧分压为5-20 %，靶材与基底的距离为7～20 cm，初始基底温度为室温，溅射过程中对基底进行加热，加热温度范围是350～500℃，施加于所述靶材上的直流电源的功率为 50～500 W 或者功率密度为0.6～6.4 W/cm2，其中沉积时间为5～60min；

S3. 在S2结束等温度降至室温，取出样品后将其送入马弗炉进行热处理，退火完成之后，等样品温度降回室温，制得BiVO₄薄膜。

2.根据权利要求1中一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法，其特征在于，所述S2中沉积室初始的本底真空度低于10^-4 Pa。

3.根据权利要求1中一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法，其特征在于，所述S1中基底为透明导电电极FTO、ITO、AZO、ATO或多孔电极泡沫镍或金属纳米线电极Cu、Au、Ag和Al。

4.根据权利要求1中一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法，其特征在于，所述S1中清洗基底的方法是依次用丙酮和无水乙醇各超声清洗至少30min；所述干燥方法为压缩空气吹干。

5.根据权利要求1中一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法，其特征在于，所述S3中热处理温度500 ℃，升温速度1~10 ℃/min，保温时间60~480 min。