[发明专利]一种用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置在审
申请号: | 202011232044.9 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112201466A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 詹艺 | 申请(专利权)人: | 亚星智联(厦门)科技有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 扩散 金属 钕铁硼 磁铁 改性 装置 | ||
1.一种用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,包括进料腔室、溅射扩散工艺腔室、出料腔室以及基座,所述进料腔室设置有三维工件转架系统,所述三维工件转架系统设置有工件转架主动齿轮和联轴器,所述工件转架主动齿轮与所述联轴器连接,所述基座上设置有传动主动轮、可伸缩连接轴和电机,所述传动主动轮通过联轴器与所述电机连接,所述电机通过联轴器与可伸缩连接轴连接,所述电机控制所述可伸缩连接轴与所述工件转架主动齿轮的接触或分离,所述电机通过驱动所述传动主动轮带动所述三维工件转架系统在所述溅射扩散工艺腔室和所述出料腔室之间传递。
2.根据权利要求1所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述三维工件转架系统设置有6个大转盘,每个所述大转盘上设置有6个小转盘,所述小转盘上设置有工件架,所述大转盘的直径为260mm,所述小转盘的直径为80mm,所述小转盘和所述工件转架主动齿轮与所述大转盘通过齿轮齿合传动。
3.根据权利要求2所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述电机通过驱动所述工件转架主动齿轮带动所述大转盘公转、所述工件架自转以及工件自转。
4.根据权利要求2所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述三维工件转架系统为圆柱形立式结构,其直径为800mm,高度为800mm。
5.根据权利要求1所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述进料腔室设置有离子源刻蚀系统和第一加热系统,所述离子源刻蚀系统被设置于所述进料腔室的左侧,所述离子源刻蚀系统为阳极层离子源,所述离子源刻蚀系统的最高电压为2000V,电流为1A,离子能量为150-1500eV。
6.根据权利要求5所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述溅射扩散工艺腔室设置有溅射源系统、高能离子源系统以及第二加热系统,所述高能离子源系统为空心阴极离子源或IET离子源,最高电压为50V,最高电流为250A,所述溅射源系统为直流脉冲非平衡磁控溅射平面阴极。
7.根据权利要求6所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述出料腔室设置有第三加热系统,所述第一加热系统、所述第二加热系统以及所述第三加热系统为盘式加热器,所述盘式加热器的最高可控温度为600℃,所述盘式加热器可根据腔室大小分段设置,且所述盘式加热器的温度可分段控制加热。
8.根据权利要求1所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述基座上设置有偏压系统,所述偏压系统为双极脉冲偏压电源。
9.根据权利要求1用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,每个腔室设置有光电感应器,所述光电感应器用于控制所述三维工件转架系统的位置。
10.根据权利要求1所述的用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,其特征在于,所述进料腔室和所述出料腔室与所述溅射扩散工艺腔室通过阀门隔开,所述阀门包括插板阀或翻板阀。
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