[发明专利]一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器及电子芯片

说明书

本发明提供了一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器及电子芯片，低压差线性稳压电路包括误差放大电路、缓冲电路、输出功率管、反馈网络和抗饱和电路，其中，抗饱和电路的第一端连接缓冲电路，抗饱和电路的第二端连接低压差线性稳压电路的输出端，抗饱和电路用于当输出功率管处于饱和状态时，对输出功率管的BC结电压进行钳位，本发明还提供了一种低压差线性稳压器及电子芯片，可以实现当输出功率管达到饱和状态时，对输出功率管的BC结电压进行钳位，使得输出功率管BC结电压保持在某一固定电压值，防止输出功率管进一步饱和进入深度饱和状态，进而避免了因输出功率管进入深度饱和状态使得电路效率降低，发热，影响性能甚至烧毁电路的问题。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器及电子芯片。

背景技术

低压差线性稳压器(Low-dropout regulator，LDO),又称低压差稳压器、低压降稳压器，用于提供稳定的直流电压电源，相比于一般线性直流稳压器，LDO能在更小输入输出电压差的情况下工作，被大量应用于电子产品中。

双极工艺制作的负压转负压LDO芯片通常采用NPN型三极管作为输出功率管，当输出功率管的集电极电压低于其基极电压，最终输出功率管的集电结正偏，输出功率管进入深饱和状态。此时，由于输出功率管进入深度饱和状态，将导致输出功率管的基极将会有最高高达100mA量级的大电流流过，一方面该大电流对输出电流并无贡献，另一方面该大电流将导致LDO芯片效率降低，芯片发热，影响性能，甚至可能烧毁芯片。

因此，双极工艺制作的负压转负压LDO芯片中的输出功率管会进入深度饱和状态这一问题亟需解决。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器及电子芯片，用于解决相关技术中不能防止输出功率管进入深饱和状态的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种低压差线性稳压电路，包括：误差放大电路、缓冲电路、输出功率管、反馈网络和抗饱和电路，所述输出功率管包括NPN型三极管；

所述误差放大电路的第一输入端连接基准电压，所述误差放大电路的第二输入端通过所述反馈网络与所述低压差线性稳压电路的输出端连接，所述误差放大电路的输出端通过所述缓冲电路与所述输出功率管的基极连接；

所述输出功率管的发射极连接负电源，所述输出功率管的集电极为所述低压差线性稳压电路的输出端；

所述反馈网络，用于根据所述低压差线性稳压电路的输出电压，输出反馈电压至所述误差放大电路的第二输入端；

所述抗饱和电路的第一端连接所述缓冲电路，所述抗饱和电路的第二端连接所述低压差线性稳压电路的输出端，所述抗饱和电路用于当所述输出功率管处于饱和状态时，对所述输出功率管的BC结电压进行钳位。

可选的，所述缓冲电路包括缓冲器，所述缓冲器包括第一三极管、第二三极管、第一电流源和第二电流源；

所述误差放大电路的输出端连接所述第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极分别连接所述第一电流源的输出端、所述抗饱和电路的第一端和所述第二三极管的基极；

所述第二三极管的发射极分别与所述第二电流源的输入端和所述输出功率管的基极连接；

所述第一电流源的输入端、所述第二三极管的集电极接地；

所述第一三极管的集电极、所述第二电流源的输出端接负电源。

可选的，所述第一三极管包括PNP型三极管，所述第二三极管为NPN型三极管。