[发明专利]单晶的制造方法

权利要求书

1.一种单晶的制造方法，利用FZ法即加热原料棒以形成熔化带，并且降低分别位于所述熔化带的上方及下方的所述原料棒及单晶而生长所述单晶，所述方法的特征在于包括：

锥形部培育工序，使所述单晶绕着所述单晶的中心轴沿一个方向旋转，同时以使所述单晶的直径扩大的方式一边增加所述原料棒的下降速度一边进行所述单晶的生长；以及

直筒部培育工序，在所述锥形部培育工序之后，使所述单晶的旋转方向绕着所述单晶的中心轴交替旋转，同时以使所述单晶的直径维持目标直径的方式一边将所述原料棒的下降速度维持在第1下降速度一边进行所述单晶的直筒部的生长，

所述锥形部培育工序包括：

第1步骤，一边增加所述原料棒的下降速度一边生长所述单晶的锥形部；以及

第2步骤，在所述第1步骤后，使所述原料棒的下降速度增加到快于所述第1下降速度的第2下降速度。

2.根据权利要求1所述的单晶的制造方法，其中，

所述直筒部培育工序包括：

第3步骤，一边将所述原料棒的下降速度维持在所述第2下降速度一边生长所述单晶；以及

第4步骤，在所述第3步骤后，使所述原料棒的下降速度下降到所述第1下降速度。

3.根据权利要求2所述的单晶的制造方法，其中，

所述第2步骤在所述单晶的直径达到所述目标直径之前进行，或者在所述单晶的直径达到所述目标直径的同时进行，

所述第3步骤在所述单晶达到所述目标直径之后进行。

4.根据权利要求2或3所述的单晶的制造方法，其中，

所述第4步骤在所述直筒部的长度达到5～20mm时进行。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的单晶的制造方法，其中，

所述第2步骤在所述单晶的直径达到大于等于所述目标直径―1mm且小于等于所述目标直径的基准直径时进行。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的单晶的制造方法，其中，

所述锥形部培育工序在所述第2步骤之前还包括使单晶重量保持器抵接到所述锥形部而支撑所述单晶的步骤。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的单晶的制造方法，其中，

所述第2下降速度相对于所述第1下降速度的增加量为0.1～0.5mm/s。