[发明专利]超大功率低谐波高功率因数高频开关电源拓扑

权利要求书

1.超大功率低谐波高功率因数高频开关电源拓扑，其特征在于：包括降低网侧谐波和改善功率因素的拓扑电路，所述拓扑电路包括隔离变压器、断路器(K1)、熔丝(FU1、FU2、FU3)、预充电阻(Ra、Rb、Rc)、旁路接触器(Ka、Kb、Kc)、交流侧电感(Lm、Ln、Lo)、受控开关(Qa、Qb、Qc、Qd、Qe、Qf)、储能电容(Cin1、Cin2)、由放电电阻(Re、Rd)、受控开关(Qg、Qi、Qm、Qn)、谐振电容Cm、谐振电感Ls、均压薄膜电容(C1、C2、C3、C4、C5、C6)、隔离高频变压器(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6)组成的全桥谐波电路、全波整流桥1、全波整流桥2、全波整流桥3、全波整流桥4、全波整流桥5、全波整流桥6、由储能电感(La、Lb、Lc、Ld、Le、Lf)和滤波电容(Ca、Cb、Cd、Ce、Cf、Cn)组成的滤波电路、由受控开关(K1、K2、K3、K4、K5、K6)、受控器件(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)、平波电感(L1、L2、L3、L4、L5、L6)组成的N相并联BUCK电路；

所述隔离变压器、断路器(K1)、熔丝(FU1、FU2、FU3)、预充电阻(Ra、Rb、Rc)、旁路接触器(Ka、Kb、Kc)、交流侧电感(Lm、Ln、Lo)依次串联连接；所述储能电容(Cin1、Cin2)串联连接，所述受控开关(Qa、Qd)串联后同时并联在串接的储能电容(Cin1、Cin2)两端，所述受控开关(Qb、Qe)串联后同时并联在串接的储能电容(Cin1、Cin2)两端，所述受控开关(Qc、Qf)串联后同时并联在串接的储能电容(Cin1、Cin2)两端，所述受控开关(Qa、Qd)相连接脚与交流侧电感(Lm)连接,所述受控开关(Qb、Qe)相连接脚与交流侧电感(Ln)连接,所述受控开关(Qc、Qf)相连接脚与交流侧电感(Lo)连接；

所述放电电阻(Rd、Re)串联后同时并联在串接的储能电容(Cin1、Cin2)两端；所述受控开关(Qg、Qm)串联后同时并联在串接的储能电容(Cin1、Cin2)两端；所述受控开关(Qi、Qn)串联后同时并联在串接的储能电容(Cin1、Cin2)两端；所述受控开关(Qg、Qm)相连接脚与谐振电容Cm、谐振电感Ls串联连接，所述谐振电感Ls一端与全桥谐波电路一端连接，所述受控开关(Qi、Qn)相连接脚与全桥谐波电路另一端连接；

全桥谐波电路中，所述均压薄膜电容(C1、C2、C3、C4、C5、C6)串联连接且连接脚与隔离高频变压器(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6)对应并联连接；所述全波整流桥1、全波整流桥2、全波整流桥3、全波整流桥4、全波整流桥5、全波整流桥6与隔离高频变压器(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6)一一对应连接，所述受控开关(K1、K2、K3、K4、K5、K6)与储能电感(La、Lb、Lc、Ld、Le、Lf)一一对应串联连接且连接点与滤波电容(Ca、Cb、Cd、Ce、Cf、Cn)各电容对应连接；所述储能电感(La、Lb、Lc、Ld、Le、Lf)各电感一端以及滤波电容(Ca、Cb、Cd、Ce、Cf、Cn)各电容一端分别与全波整流桥1、全波整流桥2、全波整流桥3、全波整流桥4、全波整流桥5、全波整流桥6接口对应连接，所述受控开关(K1、K2、K3、K4、K5、K6)各开关一端与平波电感(L1、L2、L3、L4、L5、L6)各电感一一对应串联且串联连接点与受控器件(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)中各器件对应连接；所述N相并联BUCK电路中的N相BUCK同步并联输出。

2.根据权利要求1所述的超大功率低谐波高功率因数高频开关电源拓扑，其特征在于：所述断路器(K1)、熔丝(FU1)、预充电阻(Ra)、交流侧电感(Lm)依次串联后与受控开关(Qa、Qd)的串联节点相连接组成第一相整流；所述断路器(K1)、熔丝(FU2)、预充电阻(Rb)、交流侧电感(Ln)依次串联后与受控开关(Qb、Qe)串联节点相连接组成第二相整流；所述断路器(K1)、熔丝(FU3)、预充电阻(Rc)、交流侧电感(Lo)依次串联后与受控开关(Qc、Qf)串联节点相连接组成第三相整流。