[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供基底，基底包括中心区和位于中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区，中心区包括成型区以及位于成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区；在基底上形成多个间隔设置的芯柱；在基底上形成环绕且覆盖芯柱侧壁的初始掩膜层；去除位于裁剪区的初始掩膜层，以形成位于成型区的若干间隔设置的掩膜侧墙条，且保留位于虚置区的初始掩膜层作为环状侧墙；去除位于中心区以及虚置区的芯柱；以掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，形成多个功能结构，且以环状侧墙为掩膜刻蚀基底，形成位于多个功能结构两侧的伪功能结构。本发明实施例有利于提高伪功能结构的稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，存储器单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。然而，由于光学邻近效应，容易在形成存储器单元的功能结构时，造成功能结构的边缘处图形不规则。

现有技术中在功能结构的一侧提供多个间隔设置的伪功能结构，解决由于光学邻近效应带来的功能结构边缘处图形不规则的问题，但由于多个间隔设置的伪功能结构互不连接，单个伪功能结构稳固性不够，容易发生形变，对半导体结构造成不良影响。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，有利于解决伪功能结构不稳固的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括中心区和位于所述中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区，所述中心区包括成型区以及位于所述成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区；在所述基底上形成多个间隔设置的芯柱，位于所述中心区的所述芯柱横跨所述成型区以及所述裁剪区，每一所述虚置区形成有至少一个所述芯柱；在所述基底上形成环绕且覆盖所述芯柱侧壁的初始掩膜层；去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层，以形成位于所述成型区的若干间隔设置的掩膜侧墙条，且保留位于所述虚置区的所述初始掩膜层作为环状侧墙；去除位于所述中心区以及所述虚置区的所述芯柱；以所述掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，形成多个功能结构，且以所述环状侧墙为掩膜刻蚀基底，形成位于多个所述功能结构两侧的伪功能结构。

另外，去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层的工艺步骤包括：形成图形层，所述图形层覆盖所述虚置区以及所述成型区的所述初始掩膜层，且露出所述裁剪区的所述初始掩膜层；以所述图形层为掩模，刻蚀去除所述裁剪区的所述初始掩膜层。

另外，位于所述虚置区的所述芯柱的长度短于位于所述中心区的所述芯柱的长度；形成的所述图形层在所述基底上的正投影的形状为矩形。

另外，位于所述虚置区的所述芯柱与位于所述中心区的所述芯柱的长度相同且端面齐平；形成的所述图形层在所述基底上的正投影的形状为工字型。

另外，先去除所述芯柱，后去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层。

另外，先去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层，后去除所述芯柱。

另外，采用湿法刻蚀工艺，去除所述芯柱。

另外，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的初始位线层；以所述掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，包括：刻蚀所述初始位线层，形成所述功能结构，所述功能结构为位线结构；以所述环状侧墙为掩膜刻蚀基底，包括：刻蚀所述初始位线层，形成所述伪功能结构，所述伪功能结构为伪位线结构。

本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括中心区和位于所述中心区相对两侧的虚置区；多个间隔设置的功能结构，所述功能结构位于所述中心区的基底上；伪功能结构，所述伪功能结构位于所述虚置区的所述基底上，且所述伪功能结构为环状结构。

另外，所述伪功能结构为矩形环状结构。