[发明专利]一种负氧离子手机芯片的制作方法在审
申请号: | 202011235718.0 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112221014A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 蒋思前 | 申请(专利权)人: | 蒋思前 |
主分类号: | A61N1/44 | 分类号: | A61N1/44;A61N5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 手机芯片 制作方法 | ||
1.一种负氧离子手机芯片的制作方法,其特征在于:该手机芯片依次由上面保护层(2)、第一负氧离子层(3)、第二负氧离子层(4)、银浆谐振电容层(5)、第三负氧离子层(6)、第四负氧离子层(7)、底面保护层(8)和边框架(1)构成。
2.根据权利要求1所述的一种负氧离子手机芯片的制作方法,其特征在于:所述的负氧离子层所用高浓度负氧离子原浆按重量由以下成分组成:
高浓度负氧离子材料(专利申请号:201910727916.X中的A材料)600份、防水乳液300份,导电钛白粉95份、ID5040分散剂5份。
3.根据权利要求1所述的一种负氧离子手机芯片,其特征在于:所述的银浆谐振电容层(5)所用导电银浆由中科院成都物理研究所提供。
4.根据权利要求1所述的一种负氧离子手机芯片,其特征在于:负氧离子手机芯片的制作步骤如下:
P1:备料:
0.1mmPVC薄膜片若干、导电钛白粉95份、ID5040分散剂5份
(中科院成都物理研究所)导电银浆若干、
高浓度负氧离子材料(专利申请号:201910727916.X中的A材料)600份、
四川日出TXF防水乳液300份、200目丝网一个并将图2所示图案制作到丝网上、500目丝网一个、芯片外形模具一套;
P2:制作负氧离子原浆:
将P1备用的高浓度负氧离子材料600份,TXF防水乳液300份混合并搅拌均匀(转速100转/分钟、时间30分钟)后加入导电钛白粉95份搅拌均匀(转速60转/分钟、时间30分钟)后加入ID5040分散剂5份搅拌均匀(转速60转/分钟、时间30分钟)至膏状并研磨至800目即得到负氧离子原浆,备用;
P3:印制负氧离子层:
将P2所得高浓度负氧离子原浆用500目的丝网印刷在PVC材料的上下两个面上(印4张/套)。
P4:印制银浆谐振电容:
将P1备用导电银浆供;其制备方法是将图案用200目的丝网将银浆均匀印刷在PVC材料的上下两个面上。
P5:表面印刷文字或图形:
将所述的上面保护层和底面保护层的表面印刷文字或图形。
P6:热合:
将P3、P4、P5所得到的PVC材料按照图1所示顺序叠合在一起,放入PVC热合机中热合在一起。
P7:成型:
将P6所得热合好的PVC板用P1备用的外形模具冲压成型,即得到成品负氧离子手机芯片。
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