[发明专利]低成本高性能微型化的1.5μm被动调Q脉冲激光器

权利要求书

1.一种低成本高性能微型化的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，包括：泵浦源、聚焦透镜、激光增益介质和调Q晶体；其中，

所述泵浦源为905nm LD；

所述激光增益介质和所述调Q晶体皆经精细抛光处理且各自的两通光面平行，所述激光增益介质的第一通光面和所述调Q晶体的第一通光面通过光胶工艺键合；

所述激光增益介质的第二通光面和所述调Q晶体的第二通光面上镀激光腔膜，形成微型化平平激光腔；

所述激光增益介质为在905nm波长附近有吸收的工作物质。

2.如权利要求1所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，所述905nm LD采用脉冲工作方式，工作波长为900-920nm。

3.如权利要求1所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，所述聚焦透镜的数值孔径NA≥0.4，焦距f≤2mm。

4.如权利要求1-3中任一项所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，所述激光增益介质为Er和Yb双掺的焦硅酸镥晶体。

5.如权利要求1-3中任一项所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，所述激光增益介质置于泵浦光的聚焦点附近，不超出其瑞利长度范围。

6.如权利要求5所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，所述激光增益介质的通光长度不超过2mm，所述激光腔长度不超过4mm。

7.如权利要求6所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，从所述泵浦源至所述激光腔的输出端面的总长不超过10mm。

8.如权利要求1-3中任一项所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，调Q晶体为掺钴尖晶石。

9.如权利要求1-3中任一项所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器，其特征在于，所述激光增益介质和所述调Q晶体各自的两通光面的平行度小于3分，且光胶成整体后通光面之间的平行度亦小于3分。

10.一种激光雷达，配置有如权利要求1-9中任一项所述的1.5μm被动调Q脉冲激光器。