[发明专利]一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术

权利要求书

1.一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术，其特征在于，包括以下步骤：

（A）制备靶材，

（A1）将CsX_m和PbY_n粉末按照1:1-1.1混合，其中X和Y为Cl、Br或I元素，m和n为1或2，并在-4℃球磨4小时；

（A2）将混合粉末倒入压制模具内，并使用100-200吨压力压制3-10分钟，制作成靶材；

（B）使用磁控溅射技术在0.5-0.8 Pa的Ar气氛下将该靶材溅射至衬底形成500-2000nm厚度的CsPbX_mY_n薄膜；

（C）靶材回收。

2.如权利要求1所述的一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术，其特征在于，该（A1）步骤和该（A2）步骤之间还包括（A11）步骤：

将步骤（A1）球磨制作的粉末在真空条件下，使用马弗炉80 ℃热处理2小时，升温至200℃并保持2小时，然后降温至常温。

3.如权利要求1所述的一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术，其特征在于，该（A）步骤还包括（A3）步骤：使用马弗炉将该靶材在300℃烧结12小时。

4.如权利要求1所述的一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术，其特征在于，该（B）步骤：使用磁控溅射技术在0.5-0.8 Pa的Ar气氛下将该靶材溅射至衬底制作500-2000 nm厚度的CsPbX_mY_n薄膜，然后在200 ℃条件下原位退火10-30 min。

5.如权利要求1所述的一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术，其特征在于，所述CsX_m和所述PbY_n粉末分别为CsBr和PbBr₂粉末，CsBr和PbBr₂粉末按照化学计量比1:1混合，或所述CsX_m和所述PbY_n粉末分别为CsCl和PbCl₂粉末，CsCl和PbCl₂粉末按照化学计量比1:1混合，或所述CsXm和所述PbYn粉末分别为CsI和PbBr₂粉末，CsI和PbBr₂粉末按照化学计量比1:1.1混合，或所述CsX_m和所述PbY_n粉末分别为CsBr和PbI₂粉末，CsBr和PbI₂粉末按照化学计量比1:1混合。

6.如权利要求1所述的一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术，其特征在于，该制作方法还包括位于该（B）步骤之后的（C）靶材回收步骤，其包括：

（C1）使用抛光设备打磨该靶材表面，并依次采用去离子水和无水乙醇清洁靶材; 随后收集靶材颗粒，在-4 ℃球磨2小时，之后在60-80 ℃的真空条件下烘干；

（C2）烘干后的原料在马弗炉中80 ℃热处理2小时，然后升温至200 ℃并加热2小时，并降至常温。