[发明专利]一种高含硫气藏硫沉积孔隙网络模型研究方法

权利要求书

1.一种高含硫气藏硫沉积孔隙网络模型研究方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

S100、准备孔隙网络模型的输入参数，包括孔喉结构参数、硫的粘度、硫的摩尔质量；

S200、采用随机函数随机分配管束半径建立非均质随机孔隙网络模型，采用随机函数来配置喉道半径，随机函数中两组半径分布函数分别为对数均匀分布和均匀分布，对数均匀分布的变异系数为0.05、0.30、0.55、0.80和1.05，均匀分布的变异系数分别为0.05、0.30和0.55，对数均匀分布的计算公式为均匀分布的计算公式为

喉道半径的生成公式为

其中e为欧拉数，为常数；rand()％为随机函数；r_max为最大喉道半径，单位为μm；r_min为最小喉道半径，单位为μm；r_H1为对数均匀分布计算的喉道半径，单位为μm；r_H2为对数均匀分布计算的喉道半径，单位为μm；

S300、利用逾渗理论通过连通概率控制随机孔隙网络模型的连通性、配位数和孔隙结构，通过设定连通概率P和随机选择喉道来建立随机孔隙网络模型，其中连通概率P等于实际连通配位数Z/Z_max，并配置等于零的半径，临界值Z_c与晶格类型无关，即Z_c≈1.5，P和Z用做描述作连通性，关系为Z_p＝Z_max·P，其中，Z_max为模型最大配位数，无量纲；Z_p为模型连通配位数，无量纲；P为连通概率，为百分数；

S400、采用水电相似原理建立并求解压力矩阵方程，获取孔隙网络模型的压力分布，继而获得流场分布，通过描述两相界面推进前缘，明确气-液硫两相渗流路径图像；将电路网络和流体多孔介质渗流视为管束组成的网络结构，流体压降方程简化为类似于欧姆定律的形式，公式为q_ij＝g_ijΔp_ij，其中，q_ij为流量，单位为cm₃/s；Δp_ij为管束两端的压差，单位为MPa；g_ij为导流系数，单位为cm³/(s·MPa)；导流系数公式为

其中，M为摩尔质量，单位为kg/kmol；r_ij为喉道平均半径，单位为cm；μ为气体粘度，单位为mPa·s；R为气体常数，单位为8.314J/mol/K；T为绝对温度，单位为K；Ρ_avg为气体平均密度，单位为kg/m³；l_ij为喉道长度，单位为cm；α为切向动量调节系数，值为0.8；F为中间函数；

S500、在此基础上建立压力矩阵方程并求解，建立孔隙网络模型，研究高含硫气藏硫的渗流和沉积规律。

2.根据权利要求1所述的一种高含硫气藏硫沉积孔隙网络模型研究方法，其特征在于：所述随机孔隙网络模型包括体心立方体、面心立方体和简单立方体三种类型，模型体心节点对应的最大配位数Z_max分别为6、8、12。

3.根据权利要求1所述的一种高含硫气藏硫沉积孔隙网络模型研究方法，其特征在于：所述研究高含硫气藏硫的渗流和沉积规律是指研究连通性以及配位数对气-液硫两相渗流的影响、硫沉积对气相相对渗透率的影响、孔喉分布对硫沉积特征的影响。