[发明专利]复合电子组件在审
申请号: | 202011237426.0 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112837937A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 孙受焕 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/35 | 分类号: | H01G4/35;H01G4/30;H01G4/12;H01G4/40;H01G4/005 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王春芝;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 电子 组件 | ||
1.一种复合电子组件,包括:
复合主体,包括:
多层陶瓷电容器,包括第一陶瓷主体以及设置在所述第一陶瓷主体的两端上的第一外电极和第二外电极,在所述第一陶瓷主体中层叠有多个介电层和内电极,所述内电极设置为彼此相对并且所述多个介电层中的相应的一个介电层介于所述内电极之间;以及
陶瓷片,设置在所述多层陶瓷电容器下方并且包括包含陶瓷的第二陶瓷主体以及设置在所述第二陶瓷主体的两端上并且分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极的第一端子电极和第二端子电极,
其中,所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在厚度方向上的间隔距离G1与所述内电极和所述第一陶瓷主体的下表面之间的边缘部的长度M1的比G1/M1满足1.0至2.5。
2.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述内电极与所述第一陶瓷主体的所述下表面之间的所述边缘部的所述长度M1以及所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在所述厚度方向上的所述间隔距离G1满足M1G1。
3.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在所述厚度方向上的所述间隔距离G1满足30μm≤G1≤120μm。
4.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在所述厚度方向上的所述间隔距离G1满足50μm≤G1≤100μm。
5.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,在所述第一陶瓷主体中的所述内电极垂直于所述复合主体的安装表面层叠。
6.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述内电极垂直于所述第一陶瓷主体的所述下表面层叠,并且
所述第一陶瓷主体的所述下表面面向所述陶瓷片。
7.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述多层陶瓷电容器和所述陶瓷片通过施加在所述第一端子电极的上表面和所述第二端子电极的上表面上的焊料或导电粘合剂彼此结合。
8.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述厚度方向是所述陶瓷片和所述多层陶瓷电容器沿其堆叠的堆叠方向。
9.一种复合电子组件,包括:
复合主体,包括:
多层陶瓷电容器,包括第一陶瓷主体以及设置在所述第一陶瓷主体的两端上的第一外电极和第二外电极,在所述第一陶瓷主体中层叠有多个介电层和内电极,所述内电极设置为彼此相对并且所述多个介电层中的相应的一个介电层介于所述内电极之间;以及
陶瓷片,设置在所述多层陶瓷电容器下方并且包括包含陶瓷的第二陶瓷主体以及设置在所述第二陶瓷主体的两端上并且分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极的第一端子电极和第二端子电极,
其中,所述内电极与所述第一陶瓷主体的下表面之间的边缘部的长度M1以及所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在厚度方向上的间隔距离G1满足M1G1。
10.根据权利要求9所述的复合电子组件,其中,所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在所述厚度方向上的所述间隔距离G1与所述内电极和所述第一陶瓷主体的所述下表面之间的所述边缘部的所述长度M1的比G1/M1满足1.0G1/M1≤2.5。
11.根据权利要求9所述的复合电子组件,其中,所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在所述厚度方向上的所述间隔距离G1满足30μm≤G1≤120μm。
12.根据权利要求9所述的复合电子组件,其中,所述第一陶瓷主体和所述第二陶瓷主体之间在所述厚度方向上的所述间隔距离G1满足50μm≤G1≤100μm。
13.根据权利要求9所述的复合电子组件,其中,在所述第一陶瓷主体中的所述内电极垂直于所述复合主体的安装表面层叠。
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