[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202011237658.6 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN113497904A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 郭坪水 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/374 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
一种图像感测装置可以包括:像素阵列,其包括布置成行和列的像素,像素包括设置在第一行的第一像素、设置在第二行的第二像素和设置在第三行的第三像素,第一行设置在第二行和第三行之间;第一信号线,其联接到第一像素,并且被配置为向第一像素施加升压电压;第二信号线,其联接到第二像素;第一开关晶体管,其联接在第一信号线和第二信号线之间,并且被构造为导通以将第一信号线联接到第二信号线;以及第二开关晶体管,其联接在第一信号线和与设置在第三行的第三像素联接的第三信号线之间,并且被构造为导通以将第一信号线联接到第三信号线。
技术领域
本专利文件中公开的技术和实现方式总体涉及一种包括彼此相邻设置的像素的图像感测装置。
背景技术
图像传感器是一种利用半导体的对入射到其上的光做出反应以产生图像的特性来捕获图像的装置。近来,随着计算机工业和通信工业的发展,在诸如智能电话、数码相机、视频游戏设备、与物联网(IOT)共同使用的装置、机器人、安全摄像头和医用微型摄像头等各种电子装置中对高级图像传感器的需求日益增加。
图像传感器可以大致分为电荷联接器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。与CMOS图像传感器相比,CCD图像传感器产生的噪声更少并且具有更好的图像质量。然而,CMOS图像传感器具有更简单和更方便的驱动方案,因此在一些应用中可能是优选的。CMOS图像传感器可以在单个芯片中集成信号处理电路,使得在产品中实现的传感器容易小型化,并且具有功耗更低的额外好处。能够使用CMOS制造技术来制造CMOS图像传感器,使得制造成本低廉。由于CMOS图像感测装置适合在移动装置中实现,因此其已被广泛使用。
发明内容
所公开技术的各种实施方式涉及一种能够减少可能在彼此相邻设置的像素之间传递的噪声的图像感测装置。
在一个实施方式中,一种图像感测装置可以包括:像素阵列,其包括被布置成行和列的像素,像素包括设置在第一行的第一像素、设置在第二行的第二像素和设置在第三行的第三像素,第一行设置在第二行和第三行之间;第一信号线,其联接到第一像素,并且被配置为向第一像素施加升压电压;第二信号线,其联接到第二像素;第一开关晶体管,其联接在第一信号线和第二信号线之间,并且被构造为导通以将第一信号线联接到第二信号线;以及第二开关晶体管,其联接在第一信号线和联接到设置在第三行的第三像素的第三信号线之间,并且被构造为导通以将第一信号线联接到第三信号线。
在一个实施方式中,一种图像感测装置可以包括:多个像素,其被布置成n×m矩阵,其中,n和m是等于或大于2的整数,每个像素包括光电转换元件和浮置扩散区,光电转换元件被构造为响应于入射到所述光电转换元件的光而产生光电荷,浮置扩散区电联接到所述光电转换元件并且存储所产生的光电荷;多条信号线,其各自被配置为向设置在对应行的对应像素施加升压电压,以升高对应像素的浮置扩散区的电压电平;以及多个开关晶体管,其各自联接在任意两条相邻信号线之间,并且被构造为导通或截止,以将在设置在对应行的一些像素上出现的噪声分量传输到另一行。
根据所公开技术的一些实施方式,可以最小化属于相同行的像素之间的带状噪声。
附图说明
图1是示出根据所公开技术的一个实施方式的图像传感器的示例的框图。
图2是示出图1的像素阵列的示例的示图。
图3是示出图2所示的一些像素和与其联接的一些元件的示图。
图4是示出图3所示的像素阵列的部分的操作的时序图的示例。
具体实施方式
以下,将参照附图描述各种实施方式。然而,应当理解,本公开不限于特定实施方式,而是能够对实施方式进行各种修改、等效和/或替换。
图1是示出根据一个实施方式的图像传感器的框图。
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