[发明专利]一种基于变去除函数大气等离子体的熔石英抛光方法在审

专利信息
申请号: 202011238585.2 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112456807A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 彭冰;徐学科;顿爱欢;吴伦哲;王哲 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司
主分类号: C03C15/00 分类号: C03C15/00;G06F17/15
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 去除 函数 大气 等离子体 石英 抛光 方法
【权利要求书】:

1.一种基于变去除函数大气等离子体的熔石英抛光方法,其特征是该抛光方法包括以下步骤:

步骤一:将待加工熔石英元件放置在大气等离子体设备的加工平台上,开启大气等离子体,设定加工参数,使大气等离子体火焰保持长时间稳定;

步骤二:移动机床内部等离子体炬,设在速度区间V1至Ve内,以递增速度ΔV在元件表面进行多组去除函数实验;

步骤三:加工后采用干涉仪对熔石英元件表面进行检测,x、y分别为加工元件的坐标,去除函数为高斯型:

提取上述不同速度下多组高斯型去除函数IF的幅值系数Ai、方差系数Ci,;

步骤四:计算待加工熔石英元件在加工平台相对驻留时间t与Ai、Ci的关系,公式如下:

式中,e为欧拉数,a1、a2为比例系数,c1、c2为常数系数。

步骤五:计算待加工熔石英元件的理想面形,公式如下:

Δh(x,y)=K·P(x,y)·V(x,y)

式中,Δh(x,y)为抛光区域抛光点处(x,y)单位时间内的材料去除深度;P(x,y)为施加在抛光区域的抛光压力;V(x,y)为抛光头与工件的相对抛光速度;K为受抛光工件材料、环境温度因素影响的Preston系数;

步骤六:采用干涉仪检测元件原始面型,根据待加工元件的原始面形与理想面形之差得到理论去除量,理论去除量除以经验线性预估比例系数k得到对应驻留时间;

步骤七:计算待加工熔石英元件的去除厚度:

将整个面按1mm划分成多个加工点,每个加工点按其需要加工的量确定对应驻留时间,分别计算每个加工点的去除量再进行整体叠加,再根据变去除函数找到对应去除量的加工速度,最终多次迭代得到整个加工面的加工速度分布表。

步骤八:将步骤七所得加工速度分布表导入大气等离子体机床中进行加工,检测加工后元件面形,若符合加工要求则完成加工;若不符合加工要求则重复步骤四直至达到加工要求。

2.如权利要求1所述的一种用于熔石英玻璃的大气等离子体抛光方法,其特征在于:可以抛光平面以及各种自由曲面光学元件。

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