[发明专利]一种自动化控制单晶生长过程系统

权利要求书

1.一种自动化控制单晶生长过程系统，包括石英坩埚(1)，其特征在于：所述石英坩埚(1)内部设有清理机构，所述石英坩埚(1)顶部设有传动机构；

所述传动机构包括顶座(2)，所述顶座(2)顶部固定连接有电机(3)，所述顶座(2)内部开设有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔位于第二空腔一侧，所述电机(3)输出轴延伸至第一空腔内部，所述电机(3)输出轴固定连接有第一锥齿轮(4)，所述第一锥齿轮(4)底部设有第二锥齿轮(5)，所述第二锥齿轮(5)一端固定连接有转轴(6)，所述转轴(6)一端贯穿第二空腔并延伸至顶座(2)一侧，所述第二锥齿轮(5)底部设有第三锥齿轮(7)，所述第三锥齿轮(7)底部固定连接有往复丝杠(8)，所述往复丝杠(8)底端延伸至石英坩埚(1)底部，所述第一锥齿轮(4)和第三锥齿轮(7)均与第二锥齿轮(5)啮合连接，所述转轴(6)外侧固定套接有多个风扇(9)，多个所述风扇(9)呈均匀状直线分布，所述顶座(2)顶部设有收集组件；

所述清理机构包括两个横杆(10)，两个所述横杆(10)均固定连接在往复丝杠(8)一侧，两个所述横杆(10)一端均固定连接有立杆(11)，所述往复丝杠(8)外侧套设有轴承座(12)，所述轴承座(12)和往复丝杠(8)之间通过滚珠螺母副连接，所述轴承座(12)外侧套设有基座(13)，所述基座(13)一端开设有矩形槽(1301)，所述矩形槽(1301)内部固定嵌设有气缸(14)，所述气缸(14)活塞杆固定连接有连接座(15)，所述连接座(15)内部固定嵌设有压力传感器(16)，所述压力传感器(16)一端固定连接有支撑座(17)，所述支撑座(17)一端固定连接有衔接座(18)，所述衔接座(18)一侧固定连接有第一清理块(19)，所述基座(13)顶部和底部两侧均固定连接有第二清理块(20)，所述基座(13)另一端套设在立杆(11)外侧，所述石英坩埚(1)外侧设有自动化控制组件，所述自动化控制组件延伸至石英坩埚(1)内部。

2.根据权利要求1所述的一种自动化控制单晶生长过程系统，其特征在于：所述收集组件包括收集箱(21)，所述收集箱(21)固定连接在顶座(2)顶部，所述收集箱(21)内部嵌设有抽屉(22)，所述收集箱(21)前后两侧均固定嵌设有过滤网(23)，所述顶座(2)一侧固定连接有进风管(24)，所述进风管(24)底端与石英坩埚(1)一侧固定连接，所述顶座(2)顶部固定连接有出风管(25)，所述出风管(25)一端与收集箱(21)顶部固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种自动化控制单晶生长过程系统，其特征在于：所述第一锥齿轮(4)和第二锥齿轮(5)齿轮比为1：1，所述第二锥齿轮(5)和第三锥齿轮(7)齿轮比为1：8。

4.根据权利要求1所述的一种自动化控制单晶生长过程系统，其特征在于：所述连接座(15)顶部和底部两侧均固定连接有限位块(26)，所述矩形槽(1301)顶部和底部两侧内壁均开设有限位槽，两个所述限位块(26)分别嵌设在两个限位槽内部，所述限位块(26)与限位槽相匹配。

5.根据权利要求1所述的一种自动化控制单晶生长过程系统，其特征在于：所述转轴(6)和电机(3)输出轴与顶座(2)连接处均通过第一轴承活动连接，所述往复丝杠(8)与石英坩埚(1)连接处均通过第二轴承活动连接，所述轴承座(12)与基座(13)连接处通过第三轴承活动连接。

6.根据权利要求1所述的一种自动化控制单晶生长过程系统，其特征在于：两个所述第二清理块(20)均位于第一清理块(19)一侧，所述第一清理块(19)一侧与石英坩埚(1)内壁相贴合。

7.根据权利要求1所述的一种自动化控制单晶生长过程系统，其特征在于：所述石英坩埚(1)顶部固定连接有进料斗(35)，所述进料斗(35)上设有电磁阀(36)。