[发明专利]一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头在审

专利信息
申请号: 202011239284.1 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112378994A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 胡明慧;张显程;张程杰;徐小雄;严宇昂;轩福贞;涂善东 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: G01N27/904 分类号: G01N27/904;G01R33/09
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 代理人: 蔡海淳
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 tmr 磁阻 传感器 阵列 金属构件 深层 缺陷 电磁 检测 探头
【说明书】:

一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头,属检测领域。包括矩形双层印刷TMR电路板、TMR磁阻传感器组、TMR阵列检测元件、第一、第二线圈骨架、第一、第二矩形激励线圈、探头主外壳和探头副外壳;TMR阵列检测元件安装在第一矩形激励线圈和第二矩形激励线圈的几何中心位置;电磁检测探头的扫描方向垂直于TMR阵列检测元件的排布方向。其选用TMR磁阻传感器组来代替常规线圈探头,突破了常规涡流线圈探头无法检测深层缺陷的瓶颈,不仅可以检测非铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,亦可检测铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,大大提高了检测深度与灵敏度,结构简单,操作方便,性能稳定,测量精度高。

技术领域

发明属于电磁无损检测领域,尤其涉及一种用于检测金属构件深层缺陷的电磁检测探头。

背景技术

涡流检测是利用电磁感应原理的一种无损检测方法,被检工件导体内部电涡流伴生的感应磁场与原磁场叠加,使得检测线圈的复阻抗幅值、相位发生变化,通过分析检测线圈的阻抗变化,可以获得被测试件的内部结构、材质分布、是否存在缺陷以等信息。

目前涡流检测的激励端和接收端都采用绕制线圈检测探头,由于集肤效应的影响,降低激励频率会导致探头灵敏度大幅减弱,对被检件的深层缺陷无能为力,成为制约涡流检测发展的瓶颈。

我国一些重大装备长期服役在高温、高压、高转速、交变载荷、强腐蚀、高密度的能量转化等恶劣的工作环境下,其表层以下的缺陷危害大、不易被检测出来。

如何设计一种能够有效检测出深层缺陷处微弱磁场变化,可以适合各种检测对象的新型电磁检测探头,是实际研究工作中急待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头。其选用最新高灵敏度、高频率响应特性的TMR磁阻传感器组来代替常规线圈探头,能够检测金属构件深层缺陷,突破了常规涡流线圈探头无法检测深层缺陷的瓶颈,可实现多种材料构件的缺陷检测,不仅可以检测非铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,亦可检测铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,大大提高了检测深度与灵敏度,结构简单,操作方便,性能稳定,测量精度高。

本发明的技术方案是:提供一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头,其特征是:

电磁检测探头包括矩形双层印刷TMR电路板1、TMR磁阻传感器组2、TMR阵列检测元件3、第一线圈骨架4a、第一矩形激励线圈5、第二线圈骨架4b、第二矩形激励线圈6、探头主外壳8和探头副外壳9;

其中,所述的矩形双层印刷TMR电路板1为一个具有第一侧面和第二侧面的矩形双层印刷TMR电路板;矩形双层印刷TMR电路板1作为TMR磁阻传感器组2的基底载体,利用矩形双层印刷TMR电路板第一侧面、第二侧面的表面和两个侧面之间的接合面,布置TMR磁阻传感器组的部件;

在矩形双层印刷TMR电路板1第一侧面的表面,采用印刷电路板制作工艺,将3个TMR磁阻传感器下方的引脚等间隔地印刷在矩形双层印刷TMR电路板1的第一侧面的表面;

在矩形双层印刷TMR电路板1第二侧面的表面,将3个TMR磁阻传感器按0.3mm等间隔地嵌入在矩形双层印刷TMR电路板1第二侧面层的表面,TMR磁阻传感器引脚离电路板底端高度小于0.1mm,以消除引脚焊接带来的提离影响;

所述的探头主外壳8和探头副外壳9分别为一个下端开口的半封闭式结构,两者组合构成一套可拆分的、兼有夹具功能的探头封装外壳;

在探头主外壳8和探头副外壳9的下端开口处,分别对应设置第一线圈骨架4a和第二线圈骨架4b;在第一线圈骨架4a固定有第一矩形激励线圈5,在第二线圈骨架4b上固定有第二矩形激励线圈6;

所述的矩形双层印刷TMR电路板1设置在探头主外壳8和探头副外壳9的壳体之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011239284.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top