[发明专利]一种含镧铈的钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种含镧铈的钕铁硼磁体，包括：主相和富相，

所述主相包括稀土元素和M元素，所述M元素选自Fe、Al、Co、Cu、Ga、Mn、Ni、Mo、Ti、Cr、V、Zr、Hf和Ta中的一种或几种；

所述富相包括稀土元素和X元素，所述X元素选自Fe、Al、Co、Cu、Ga、Mn、Ni、Mo、Ti、Cr、V、Zr、Hf和Ta中的一种或几种；

a为主相中镧铈元素总质量与主相中稀土元素总质量的比值，

b为富相中镧铈元素总质量与富相中稀土元素总质量的比值，

a1.5b。

2.根据权利要求1所述的含镧铈的钕铁硼磁体，其特征在于，所述稀土元素在主相中的质量含量为25～35％，所述M元素在主相中的质量含量为60～70％；

所述稀土元素在富相中的质量含量为55～65％，所述X元素在富相中的质量含量为25～35％。

3.一种权利要求1所述的含镧铈的钕铁硼磁体的制备方法，由包括合金A和合金B的物料经配料、熔炼得到；

所述合金A为：

[(La_xCe_1-x)_yR1_1-y]_a1M1_100-a1-b1-c1N1_b1B_c1；

其中，R1选自除去镧和铈以外的其他镧系元素、钪和钇中的一种或几种；

M1选自Fe、Al、Co、Cu、Ga、Mn和Ni元素中的一种或几种；

N1选自Mo、Ti、Cr、V、Zr、Hf和Ta元素中的一种或几种；

0wt％≤x≤1wt％，0.1wt％≤y≤0.8wt％，26wt％≤a1≤30wt％，0.3wt％≤b1≤2.0wt％，0.9wt％≤c1≤1wt％；

所述合金B为：

R2_a2M2_100-a2-b2-c2N2_b2B_c2，

其中，R2选自除去镧和铈以外的其他镧系元素、钪和钇中的一种或几种；

M2选自Fe、Al、Co、Cu、Ga、Mn和Ni元素中的一种或几种；

N2选自Mo、Ti、Cr、V、Zr、Hf和Ta元素中的一种或几种；

30wt％≤a2≤90wt％，b2＜0.3wt％，0wt％≤c2≤0.95wt％。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，稀土元素在合金A中的质量含量＜30％，高熔点金属在合金A中的质量含量为0.3％～2.0％；

稀土元素在合金B中的质量含量为30％～90％，高熔点金属在合金B中的质量含量＜0.2％。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含镧铈的钕铁硼磁体的制备方法具体包括：

将合金A和合金B分别氢破碎得到合金A粗粉和合金B粗粉；

将所述合金A粗粉和合金B粗粉混合后进行气流磨，得到细粉；

将所述细粉在磁场中压制后进行等静压，得到生坯；

将所述生坯进行烧结和热处理，得到含镧铈的钕铁硼磁体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述合金A粗粉在细粉中的质量含量为10％～90％。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述合金B中30wt％≤a2≤40wt％时，合金A粗粉在细粉中的质量含量为10％～40％；

所述合金B中40wt％≤a2≤50wt％时，合金A粗粉在细粉中的质量含量为40％～60％；

所述合金B中50wt％≤a2≤60wt％时，合金A粗粉在细粉中的质量含量为70％～80％；

所述合金B中60wt％≤a2≤90wt％时，合金A粗粉在细粉中的质量含量为80％～90％。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述磁场的磁场强度为1.5T～1.9T。