[发明专利]一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法

权利要求书

1.一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极，其特征在于，包括：p-Si基底层、表面助催化层和TiO₂层；

所述p-Si基底层作为光电阴极；

所述表面助催化层为MoS₂和Rh-P的双组分复合型助催化层；

所述TiO₂层位于p-Si基底和表面助催化层之间，作为调节p-Si基底层和表面助催化层之间界面失配的连接层。

2.根据权利要求1所述的双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极，其特征在于，所述TiO₂层的厚度为10nm。

3.根据权利要求1所述的双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极，其特征在于，所述表面助催化层的厚度为10nm～20nm。

4.一种根据权利要求1所述的双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极的应用，其特征在于，所述双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极用于光电催化解水产氢。

5.一种根据权利要求1所述的双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)将p-Si基底层清洗干净，然后吹干备用；

(2)将p-Si基底层置于原子层沉积室中，在p-Si基底层表面沉积制备TiO₂层；

(3)将13mg硫代钼酸铵溶于1mLN,N二甲基甲酰胺中超声配制形成悬液，浓度为50mM，然后以旋涂的方式点涂于p-Si-TiO₂上，然后放入管式炉中，以H₂和N₂的混合气为载气，高温450度分解1h沉积得到MoS₂薄膜；

(4)将1mM硝酸铑溶液溶于5-10mM次亚磷酸钠制备得到电沉积液，以p-Si-TiO₂-MoS₂作为工作电极，以铂电极作为对电极，以Ag/AgCl电极作为参比电极，采用电沉积的方式在p-Si基底表面已有TiO₂层基础上，沉积制备得到Rh-P薄膜层；即可。