[发明专利]壳体及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种壳体，其特征在于，所述壳体的材质为陶瓷，所述壳体具有通过激光镭雕形成的预设纹理图案；

其中，所述预设纹理图案所包括的纹理的断线率为＜1％。

2.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，相邻的两条纹理之间具有预设间距；

所述预设纹理图案满足：不同的两条纹理的宽度之间的差值不大于15μm、不同的两条纹理的深度之间的差值不大于10μm、不同的两个所述预设间距之间的差值不大于50μm中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，每条纹理的宽度为30-70μm，每条纹理的深度为1-100μm，相邻的两条纹理之间的预设间距不大于100μm。

4.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述壳体的厚度为0.3-0.6mm。

5.一种壳体的制作方法，其特征在于，包括：

提供陶瓷基体；

在所述陶瓷基体的至少一侧形成辅助层；

对所述辅助层进行激光镭雕处理，以透过所述辅助层在所述陶瓷基体上雕刻预设条数的纹理，形成预设纹理图案；

去除所述辅助层，得到所述壳体；

其中，所述辅助层的激光吸收率大于所述陶瓷基体。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述辅助层为金属镀膜；所述在所述陶瓷基体的至少一侧形成辅助层，包括：

将所述陶瓷基体置于溅射炉内；

以金属为靶材，按照预设镀膜参数对所述陶瓷基体的需要形成所述预设纹理图案的面进行溅射处理，以形成所述金属镀膜；

其中，所述靶材为Nb、Au、Ag、Cu、Al、Zr、In、Sn及Cr中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述靶材为Cr，所述预设镀膜参数包括：所述溅射处理的功率为4-12kW，电流为1-30A，所述金属镀膜的厚度为1-150nm。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述靶材为Cr时，所述金属镀膜的激光吸收率为80％-90％、在所述靶材为Al时，所述金属镀膜的激光吸收率为60％-65％、在所述靶材为Au时，所述金属镀膜的激光吸收率为70％-75％、在所述靶材为In时，所述金属镀膜的激光吸收率为75％-80％。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述辅助层，得到所述壳体，包括：

在所述激光镭雕处理后，将所述陶瓷基体置于退镀液中，以溶解去除所述金属镀膜。

10.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述对所述辅助层进行激光镭雕处理，以透过所述辅助层在所述陶瓷基体上雕刻预设条数的纹理，形成预设纹理图案，包括：

将形成有所述辅助层的陶瓷基体放置于激光设备中；

按照预设镭雕参数对所述辅助层进行激光镭雕处理，以透过所述辅助层在所述陶瓷基体上形成预设条数的纹理，以形成预设纹理图案；

其中，进行激光镭雕处理所采用的激光为红外光、紫外光及绿光中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述激光为红外光时，所述预设镭雕参数包括：脉冲宽度为10-30ns，频率为100K-300K，输出功率为额定功率的15％-45％，镭雕速率为500-3000mm/s，镭雕深度为1-100μm。

12.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述提供陶瓷基体，包括：

对陶瓷原料进行成型处理，以得到陶瓷坯体；

对所述陶瓷坯体进行预处理，以得到所述陶瓷基体，其中，所述预处理包括排胶处理、外形加工及清洗处理中的至少一种；

所述制作方法还包括：

在去除所述辅助层后，对所述壳体进行清洁处理。

13.一种电子设备，其特征在于，包括：

壳体，定义有容置空间；

功能器件，容置于所述容置空间内；

其中，所述壳体为如权利要求1-4任一项所述的壳体或权利要求5-12中任一项所述的制作方法所制作的壳体。