[发明专利]一种晶圆剥离方法和晶圆剥离装置

权利要求书

1.一种晶圆剥离方法，其特征在于，所述晶圆剥离方法包括：将晶锭内部的加工面划分成多个区域，使用激光束依次对所述多个区域进行加工形成改质层，当所述改质层贯穿于整个所述晶锭内部的剥离面，剥离得到晶圆；

所述激光束在对每一个区域进行加工时，采用冷却流体环绕喷射所述晶锭的表面以冷却正在加工区域的边缘和/或所述边缘的外侧。

2.根据权利要求1所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述冷却流体作用于正在加工区域的外侧，且所述冷却流体作用于加工面的位置与正在加工区域的边缘的距离为1～5mm。

3.根据权利要求1所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述冷却流体朝向所述加工面的喷射角度与所述晶锭的加工面的夹角为10～90°。

4.根据权利要求1所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述多个区域的形状包括圆形、正方形、长方形和菱形中的任意一种或多种。

5.根据权利要求1所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述冷却流体包括水或酒精。

6.根据权利要求5所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述冷却流体的温度为5～40℃。

7.根据权利要求5所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述冷却流体的压强为0.1～0.5MPa。

8.根据权利要求5所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述冷却流体的环绕速率为50～200mm/s。

9.根据权利要求1～8任一项所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述晶圆的厚度为200～600μm。

10.根据权利要求1～8任一项所述的晶圆剥离方法，其特征在于，所述激光束的脉宽为200fs～10ns，波长为355～1064nm，功率为1～10W，扫描速度为50～500mm/s。

11.一种用于实施权利要求1所述的晶圆剥离方法的晶圆剥离装置，其特征在于，所述晶圆剥离装置包括：

平台，所述晶锭放置于所述平台上；

激光器，所述激光器设置于所述平台的上侧以使所述激光器 发出的所述激光束能够作用于所述晶锭的所述加工面形成所述改质层；

喷嘴，所述喷嘴可活动安装于所述平台的上侧以使所述喷嘴喷射出的所述冷却流体能够喷射所述晶锭的表面并冷却所述加工面。

12.根据权利要求11所述的晶圆剥离装置，其特征在于，所述喷嘴的孔径为50～300μm。

13.根据权利要求12所述的晶圆剥离装置，其特征在于，所述喷嘴能够以其安装点为支点在10～90°的角度范围内旋转。

14.根据权利要求11所述的晶圆剥离装置，其特征在于，所述晶圆剥离装置还包括控制系统，所述平台包括精密运动平台，所述控制系统分别与所述精密运动平台、所述喷嘴连接，用于控制所述精密运动平台运动和所述喷嘴旋转的角度，使得所述激光束能够依次对所述多个区域的内部进行加工形成改质层，并且所述激光束在对每一个区域进行加工时，所述喷嘴喷射出的冷却流体能够环绕正在加工的所述区域的边缘进行冷却。