[发明专利]MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备

权利要求书

1.一种MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述MEMS皮拉尼计包括：

基底；

绝缘隔热层，所述绝缘隔热层设于所述基底的一表面；以及

金属发热体，所述金属发热体设于所述绝缘隔热层背向所述基底的表面。

2.如权利要求1所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述绝缘隔热层设置有至少两层。

3.如权利要求1所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述绝缘隔热层的厚度范围为3um-5um。

4.如权利要求1所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述金属发热体为金属层，所述金属层的厚度范围为10nm-100nm。

5.如权利要求1至4中任一项所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述基底背向所述绝缘隔热层的表面开设有对流孔，所述对流孔贯穿所述基底的另一表面，并对应于所述金属发热体。

6.如权利要求5所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述MEMS皮拉尼计还包括截止层，所述截止层设于所述基底与所述绝缘隔热层之间。

7.如权利要求6所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述截止层开设有贯穿孔，所述贯穿孔贯穿所述截止层的两表面，并与所述对流孔对应且相连通。

8.如权利要求7所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述对流孔和所述贯穿孔均为圆形，所述贯穿孔的直径不小于所述对流孔的直径。

9.一种MEMS皮拉尼计的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底的一表面制作绝缘隔热层；

在所述绝缘隔热层背向所述基底的表面制作金属发热体。

10.如权利要求9所述的MEMS皮拉尼计的制作方法，其特征在于，在所述基底的一表面制作绝缘隔热层的步骤中，包括：

在所述基底的一表面依次制作至少两层绝缘隔热层。

11.如权利要求9所述的MEMS皮拉尼计的制作方法，其特征在于，在所述绝缘隔热层背向所述基底的表面制作金属发热体的步骤之后，还包括：

对所述基底背向所述绝缘隔热层的表面进行蚀刻，得到贯穿所述基底另一表面且与所述金属发热体对应的对流孔。

12.如权利要求11所述的MEMS皮拉尼计的制作方法，其特征在于，在所述基底的一表面制作绝缘隔热层的步骤中，包括：

在基底的一表面制作截止层，并在所述截止层背向所述基底的表面制作绝缘隔热层；

对所述基底背向所述绝缘隔热层的表面进行蚀刻，得到贯穿所述基底另一表面且与所述金属发热体对应的对流孔的步骤之后，还包括：

去除部分截止层，得到与所述对流孔对应且相连通的贯穿孔。

13.一种MEMS传感器，其特征在于，包括封装体和设于所述封装体内的MEMS皮拉尼计，所述MEMS皮拉尼计为如权利要求1至8中任一项所述的MEMS皮拉尼计。

14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求13所述的MEMS传感器。