[发明专利]激光装置

说明书

激光装置，其中，所述激光装置具有：腔室，其在内部配置有一对放电电极；气体供给排放装置，其向所述腔室的内部供给激光气体，并排放所述腔室的内部的激光气体；压力传感器，其用于计测所述腔室的内部的气压；以及控制部，其构成为进行第1控制和第2控制，在该第1控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以按照第1射数或按照第1经过时间，停止激光振荡来更换所述腔室内的激光气体，在该第2控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以在所述第1控制之前，在所述腔室的内部的气压达到第1规定气压的情况下，停止所述激光振荡来更换所述腔室内的激光气体。

本申请是基于发明名称为“激光装置”，申请日为2016年9月8日，申请号为201680088582.0(国际申请号为PCT/JP2016/076521)的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及激光装置。

背景技术

随着半导体集成电路的微细化、高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面，将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，正在推进从曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中，代替现有的水银灯而使用气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为当前的曝光技术，如下的液浸曝光已经实用化：利用液体填满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，改变该间隙的折射率，由此使曝光用光源的外观波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸蚀刻。

KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的光谱线宽度较宽，大约为350～400pm，因此，通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色差，分辨率降低。因此，需要对从气体激光装置输出的激光的光谱线宽度进行窄带化，直到成为能够忽略色差的程度为止。光谱线宽度也被称为光谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化光学系统(Line Narrow Module)，通过该窄带化光学系统实现光谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件可以是标准具或光栅等。将这样对光谱宽度进行窄带化而得到的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开2006/0239322号说明书

专利文献2：日本特开2002-208746号公报

专利文献3：美国专利申请公开2008/0115342号说明书

发明内容

本公开的一个观点的激光装置具有：腔室，其在内部配置有一对放电电极；气体供给排放装置，其向腔室的内部供给激光气体，并排放腔室的内部的激光气体；压力传感器，其用于计测腔室的内部的气压；以及控制部，其构成为进行第1控制和第2控制，在该第1控制中，对气体供给排放装置进行控制，以按照第1射数或按照第1经过时间，停止激光振荡来更换腔室内的激光气体，在该第2控制中，对气体供给排放装置进行控制，以在第1控制之前，在腔室的内部的气压达到第1规定气压的情况下，停止激光振荡来更换腔室内的激光气体。

附图说明

下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出比较例的激光装置的结构。

图2是示出比较例的激光装置的激光控制部30进行的能量控制的流程图。

图3是示出比较例的准分子激光装置的气体控制部32进行的激光气体控制的处理的流程图。

图4是示出图3所示的全部气体更换的处理的详细情况的流程图。