[发明专利]一种高效太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效太阳能电池，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体设有正面和背面，所述硅基体的正面上设有第一钝化层，所述第一钝化层上设有减反层；

所述硅基体的背面设有第一掺杂区、第二掺杂区和第二钝化层，所述第一掺杂区和第二掺杂区交替设置；

所述第一掺杂区上设有隧穿层，所述隧穿层上设有第一掺杂层，所述第一掺杂层上设有第一电极，所述第二掺杂区上设有第二电极；

所述第二钝化层覆盖在裸露出来的第二掺杂区上，并延伸到第一掺杂层上，以使第一电极和第二电极绝缘。

2.如权利要求1所述的高效太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层从第一掺杂区延伸到第二掺杂区上，所述第二电极设置在第二掺杂区的隧穿层上，所述第二钝化层覆盖在裸露出来的隧穿层上，并延伸到第一掺杂层上，以使第一电极和第二电极绝缘；

其中，覆盖在第一掺杂区的隧穿层与第二钝化层形成复合层。

3.如权利要求1所述的高效太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区设有制绒区，所述制绒区的表面具有粗糙结构，其通过制绒工艺形成，所述第二电极设置在制绒区上。

4.如权利要求3所述的高效太阳能电池，其特征在于，所述制绒区的宽度为第一掺杂区宽度的25％～75％；

所述制绒区的制绒宽度小于等于第二电极的宽度。

5.如权利要求3所述的高效太阳能电池，其特征在于，设于第二掺杂区上的第二钝化层与硅基体之间还具有掩膜层和隧穿层，所述掩膜层设于硅基体和隧穿层之间，其中，第一掺杂区和第二掺杂区上的隧穿层隔开；

所述掩膜层和隧穿层的材料均为二氧化硅，所述掩膜层和隧穿层形成双层钝化隧穿结构。

6.如权利要求1所述的高效太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化镍、碘化亚铜、氧化铜、氧化亚铜、硫化铜中的一种或多种，其厚度为1～10nm；

所述减反层的材料选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和氟化镁中的一种或几种，其厚度为20～150nm。

7.如权利要求6所述的高效太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层为掺B多晶硅层或掺B非晶硅层；所述隧穿层的材料选自SiO₂、Al₂O₃、本征非晶硅中的一种或多种；所述第二钝化层的材料为氮化硅。

8.一种高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

一、对硅基体进行预处理，所述预处理包括对单晶硅片进行清洗、去除损伤层；

所述硅基体设有正面和背面，所述硅基体的背面设有第一掺杂区和第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区交替设置；

二、在硅基体的正面依次形成第一钝化层和减反层；

三、在硅基体背面的第二掺杂区上形成掩膜层，所述掩膜层的材料选自二氧化硅、碳化硅、氮化硅和油墨中的一种或几种；

四、在硅基体背面的依次形成隧穿层和第一掺杂层；

五、除去掩膜层及掩膜层上的隧穿层和第一掺杂层，以将第二掺杂区裸露出来；

六、在硅基体背面沉积形成第二钝化层；

七、形成第一电极和第二电极，其中，第一电极与第一掺杂层导电连接，第二电极与第二掺杂区的硅基体导电连接。

9.如权利要求8所述的高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，当步骤(一)中的预处理还包括制绒工艺，则完成步骤(三)之后，还包括以下步骤：对硅基体进行抛光处理，以使硅基体背面的第一掺杂区的表面为平面结构。

10.如权利要求9所述的高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(五)中，只除第二掺杂区上的第一掺杂层，第二掺杂区上的掩膜层和隧穿层保留下来，并将第一掺杂区和第二掺杂区上的隧穿层隔开。