[发明专利]一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法

权利要求书

1.一种增强Sb基超晶格材料光致发光信号的方法，其特征在于，包括：

将GaSb衬底进行预处理，以去除水汽和有机物；

将GaSb衬底升温，高温去除GaSb衬底的氧化层；

将GaSb衬底降温，在GaSb衬底生长GaSb缓冲层；

对GaSb缓冲层升温再进行退火处理；

对GaSb缓冲层降温，通过控制生长温度、生长速率、束流比以及生长界面在GaSb缓冲层上生长Sb基超晶格材料；

在Sb基超晶格材料表面生长的GaSb层，降温取出Sb基超晶格材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，GaSb衬底为GaSb(100)衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，高温去除GaSb衬底的氧化层时，需将GaSb衬底升温，400℃打开Sb保护束流，继续升温，在540℃～580℃区间去除氧化物。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在GaSb衬底生长GaSb缓冲层时，需降温到500℃生长GaSb缓冲层，Sb/Ga束流比范围8～12；生长厚度100nm～2μm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对GaSb缓冲层升温进行退火处理的条件为升温至510～530℃，高温退火3min～2h。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在GaSb缓冲层上生长Sb基超晶格材料时，Sb/Ga束流比、As/In束流比范围均为2～8；GaSb和InAs生长速率为生长厚度为10～300个周期；生长界面为InSb型界面。

7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，Sb基超晶格材料包括InAs/Ga(In)Sb、InAs/AlSb、InAs/InAsSb中的一种或几种组合。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在Sb基超晶格材料表面生长GaSb层的厚度为

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，降温取出Sb基超晶格材料时，需在Sb保护气氛中降温，降温至400℃时关闭Sb保护束流，继续降温到150℃以下再取出Sb基超晶格材料。